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P형 기판 상에 형성된 딥 N-웰 영역;상기 딥 N-웰 영역 상에 형성되고, 캐소드 단자에 연결되어 트리거 전압 미안의 전압이 애노드 단자에 인가되는 경우, 전류의 흐름을 차단하기 위한 제1 P-웰 활성영역;상기 딥 N-웰 영역 상에 형성되고, 제1 P-웰 활성영역의 측면에 이격거리 L1로 형성되고, 상기 애노드 단자에 연결되어 인가되는 전압에 대해 정방향 다이오드로 모델링되는 N-웰 활성영역; 및상기 딥 N-웰 영역 상에 형성되고, 상기 N-웰 활성영역을 중심으로 상기 제1 P-웰 활성영역과 대향하고, 상기 이격거리 L1보다 작은 이격거리 L2로 상기 N-웰 활성영역의 측면에 형성되고, 상기 트리거 전압의 인가에 따라 상기 딥 N-웰 영역의 펀치-스루 현상을 유도하며, 상기 제1 P-웰 활성영역과 전기적으로 연결되는 제2 P-웰 활성영역을 포함하는 정전 방전 보호소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 P-웰 활성영역은,상기 딥 N-웰 영역 상에 형성되고, 상기 애노드 단자에 인가되는 전압에 대해 상기 딥 N-웰 영역과 역방향 다이오드를 형성하는 제1 P-웰 영역;상기 제1 P-웰 영역 상에 형성되고, 상기 캐소드 단자와 연결된 제1 P+ 영역;상기 제1 P-웰 영역 상에 형성되고, 상기 캐소드 단자와 연결되는 제1 N+ 영역;상기 제1 P-웰 영역 상에 형성되고, 상기 제2 P-웰 활성영역과 전기적으로 연결되어 상기 애노드 단자에 트리거 전압 이상의 레벨이 인가될 경우, 상기 캐소드 단자로 전류를 공급하기 위한 제2 P+ 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 방전 보호소자
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제1항에 있어서, 상기 N-웰 활성영역은,상기 딥 N-웰 영역 상에 형성되고, 상기 애노드 단자에 연결된 전압을 상기 딥 N-웰 영역에 전달하기 위한 N-웰 영역; 및상기 N-웰 영역 상에 형성되고, 상기 애노드 단자를 통해 인가되는 전압에 대해 상기 N-웰 영역과 정방향 다이오드를 형성하는 제3 P+ 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 방전 보호소자
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제3항에 있어서, 상기 제2 P-웰 활성영역은,상기 딥 N-웰 영역 상에 형성되고, 상기 딥 N-웰 영역과 역방향 다이오드를 형성하기 위한 제2 P-웰 영역; 및상기 제2 P-웰 영역 상에 형성되고, 상기 제1 P-웰 활성영역과 전기적으로 연결되는 제2 N+ 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 방전 보호소자
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제4항에 있어서, 상기 애노드 단자의 전압이 트리거 전압 이상인 경우, 상기 딥 N-웰 영역은 펀치-스루되는 것을 특징으로 하는 정전 방전 보호소자
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