요약 | 개시된 기술은 반도체 기판에 위치하며 N형으로 도핑된 딥 N웰; 상기 딥 N웰에 접하며 상기 딥 N웰보다 높은 농도의 N형으로 도핑된 N웰; 상기 딥 N웰에 접하며 상기 N웰에 이격되어 배치된 P웰; 상기 N웰에 접하며 상기 P웰보다 높은 농도의 P형으로 도핑된 제1 P+영역; 상기 P웰에 접하며 상기 P웰보다 높은 농도의 P형으로 도핑된 제2 P+영역; 상기 P웰에 접하며 상기 N웰보다 높은 농도의 N형으로 도핑된 N+영역; 및 상기 P웰에 접하며 상기 P웰보다 높은 농도의 P형으로 도핑되고 플로팅되어 있는 P+플로팅 영역을 포함하는 ESD 보호소자에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | H01L 27/04 (2006.01) |
CPC | H01L 27/0262(2013.01) H01L 27/0262(2013.01) H01L 27/0262(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110071900 (2011.07.20) |
출원인 | 단국대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1258996-0000 (2013.04.23) |
공개번호/일자 | 10-2013-0011027 (2013.01.30) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130507) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.07.20) |
심사청구항수 | 5 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 단국대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경기도 용인시 수지구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 구용서 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 남정길 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 단국대학교 산학협력단 | 경기도 용인시 수지구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.07.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0559529-67 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.03.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5047629-25 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.05.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0038586-16 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.09.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0546907-00 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.10.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0841938-55 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.10.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0841940-47 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0067526-95 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000870-18 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.10.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5239146-54 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 반도체 기판에 위치하며 N형으로 도핑된 딥 N웰;상기 딥 N웰에 접하며 상기 딥 N웰보다 높은 농도의 N형으로 도핑된 N웰;상기 딥 N웰에 접하며 상기 N웰에 이격되어 배치된 P웰;상기 N웰에 접하며 상기 P웰보다 높은 농도의 P형으로 도핑된 제1 P+영역;상기 P웰에 접하며 상기 P웰보다 높은 농도의 P형으로 도핑된 제2 P+영역;상기 P웰에 접하며 상기 N웰보다 높은 농도의 N형으로 도핑된 N+영역; 및상기 P웰에 접하며 상기 P웰보다 높은 농도의 P형으로 도핑되고 플로팅되어 있는 P+플로팅 영역; 을 포함하며,상기 딥 N웰은 상기 반도체 기판 내에 위치하되, 상기 딥 N웰의 일정 부분은 상기 반도체 기판의 표면에 노출되며,상기 N+ 영역은 상기 제2 P+ 영역과 이격되어 위치하고,상기 P+ 플로팅 영역은 상기 제2 P+ 영역 및 상기 N+ 영역과 이격되어 위치하는 ESD(Electro Static Discharge) 보호소자 |
2 |
2 제 1항에 있어서,상기 제2 P+영역 및 상기 N+영역은 에미터에 연결되고,상기 제1 P+영역은 컬렉터에 연결되는 ESD 보호소자 |
3 |
3 제 2항에 있어서,상기 P+플로팅 영역은 상기 제1 P+영역과 상기 제2 P+영역 사이에 형성되는 ESD 보호소자 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제1항에 있어서,상기 N+ 영역, 상기 P 웰 및 상기 딥 N웰에 모두 전기적으로 연결된 게이트를 더 포함하는 ESD 보호소자 |
6 |
6 제5항에 있어서,상기 게이트는 상기 딥 N 웰로 전자를 유입하는 ESD 보호소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 단국대학교 | 산업원천기술 개발사업(정보통신) | BLDC 모터용 고전압/대전류 파워모듈 및 ESD 기술개발 |
2 | 지식경제부 | 단국대학교 | 대학IT연구센터지원 | 차세대 융복합 시스템용 아날로그 IP 핵심설계 기술 개발 |
특허 등록번호 | 10-1258996-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110720 출원 번호 : 1020110071900 공고 연월일 : 20130507 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130130 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 27/04 발명의 명칭 : ESD 보호소자 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 단국대학교 산학협력단 경기도 용인시 수지구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 120,000 원 | 2013년 04월 23일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2016년 03월 25일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2017년 03월 30일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 75,000 원 | 2018년 04월 11일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 145,000 원 | 2019년 04월 08일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 145,000 원 | 2020년 03월 26일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.07.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0559529-67 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.03.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5047629-25 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2012.05.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0038586-16 |
5 | 의견제출통지서 | 2012.09.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0546907-00 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.10.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0841938-55 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.10.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0841940-47 |
8 | 등록결정서 | 2013.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0067526-95 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000870-18 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.10.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5239146-54 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1415128784 |
---|---|
세부과제번호 | H0301-13-1007 |
연구과제명 | 차세대 융·복합 시스템용 아날로그IP 핵심설계기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201006~201312 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415131569 |
---|---|
세부과제번호 | 10035171 |
연구과제명 | BLDC 모터용 고전압/대전류 파워모듈 및 ESD 기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201003~201502 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1415131640 |
---|---|
세부과제번호 | 10039145 |
연구과제명 | 에너지 절감형 스마트제품에 필요한 고급 전력 관리 기술 연구(고용연계형) |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201105~201402 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415115183 |
---|---|
세부과제번호 | C1090-1101-0003 |
연구과제명 | 아날로그 IP 설계기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 정보통신산업진흥원 |
연구주관기관명 | 서강대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201006~201312 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415115478 |
---|---|
세부과제번호 | 10035171 |
연구과제명 | BLDC 모터용 고전압/대전류 파워모듈 및 ESD 기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201003~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
[1020130168450] | 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020130167249] | 측면 확산 MOS 소자 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020130161666] | 최대 전력 추종 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020130154405] | 순방향 터널링에 의한 저전력 터널링 전계효과 트랜지스터 | 새창보기 |
[1020130154142] | 파이프라인 ADC | 새창보기 |
[1020130145346] | 최대 전력 추종 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020130123440] | PFC 제어회로, 액티브 PFC 회로 및 PFC 제어 방법 | 새창보기 |
[1020130118683] | 디시-디시 벅 컨버터 | 새창보기 |
[1020130114936] | 출력전압의 풀 스윙이 가능한 디지털 아날로그 변환기 및 변환 방법 | 새창보기 |
[1020130113400] | 전동기 구동 회로 및 그것의 동작 방법 | 새창보기 |
[1020130103813] | 에너지 하베스팅 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[1020130083327] | 커패시터-저항 하이브리드 DAC를 이용한 SAR ADC | 새창보기 |
[1020130074538] | 모터의 위치 신호 보정부 및 이를 포함하는 모터 | 새창보기 |
[1020130066455] | 주파수 고정 장치 | 새창보기 |
[1020130063276] | 클록 및 데이터 복원 장치 | 새창보기 |
[1020130063271] | 멀티채널 인터페이스 장치 | 새창보기 |
[1020130054983] | 디지털 위상 고정 루프 장치 | 새창보기 |
[1020130044025] | 디지털 위상 고정 루프 회로 | 새창보기 |
[1020130023136] | ESD 보호회로 | 새창보기 |
[1020130017413] | 터널링 전계효과 트랜지스터를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020130017211] | 저전압 적분기 회로 | 새창보기 |
[1020120052537] | 독립된 듀얼 게이트의 핀펫 구조를 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020120039957] | 타임 인터리브드 전처리 증폭 장치 및 이를 이용한 폴딩-인터폴레이션 아날로그-디지털 변환기 | 새창보기 |
[1020120025574] | 비교기, 아날로그 디지털 컨버터, 램프신호 기울기 보정회로, 이를 포함하는 CMOS 이미지센서 및 이에 따른 램프 신호 기울기 보정방법 | 새창보기 |
[1020120005253] | 입력 샘플링 시간 부정합을 최소화한 이중 채널 ADC | 새창보기 |
[1020120005252] | 채널 간 부정합 문제를 최소화한 4채널 파이프라인 SAR ADC | 새창보기 |
[1020110135211] | 홀 센서 신호 발생 장치 | 새창보기 |
[1020110134603] | 데이터 통신 수신기용 적응형 등화기 | 새창보기 |
[1020110131223] | 엔모스를 삽입한 수평형 절연게이트 바이폴라트랜지스터 소자 | 새창보기 |
[1020110124212] | 전력 제어 구동 장치 및 그 방법 | 새창보기 |
[1020110122088] | 반도체 소자 및 반도체 소자의 형성 방법 | 새창보기 |
[1020110120542] | 위상 주파수 검출 방법 및 장치 | 새창보기 |
[1020110120541] | 적응형 등화기 및 그 제어 방법 | 새창보기 |
[1020110119776] | 비휘발성 메모리 소자를 포함하는 다치 논리 장치 | 새창보기 |
[1020110116256] | 구형 휠 모터 | 새창보기 |
[1020110112308] | 정전기 방전 보호 장치 | 새창보기 |
[1020110112304] | 정전기 방전 보호 장치 | 새창보기 |
[1020110112043] | 다중 출력을 위한 전류 공급 장치 | 새창보기 |
[1020110103277] | 아날로그-디지털 변환 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020110095906] | 초음파 진단 장치의 아날로그 빔포머 | 새창보기 |
[1020110095886] | 아날로그 디지털 변환기 및 그것의 전력 절감 방법 | 새창보기 |
[1020110095443] | 유에스비 주변 장치 및 그의 송신 전력 감소 방법 | 새창보기 |
[1020110092954] | 매몰절연막에 고정 전하층을 갖는 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110090495] | 비대칭 H형 전기기계 메모리 소자 | 새창보기 |
[1020110090485] | 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자 | 새창보기 |
[1020110087847] | 논리 장치 및 논리 장치의 동작 방법 | 새창보기 |
[1020110082933] | 저전력 고속의 송수신 장치 | 새창보기 |
[1020110082461] | EMI 감소를 위한 액정 표시 장치의 내부 패널 인터페이스 장치 | 새창보기 |
[1020110080686] | ESD 보호소자 | 새창보기 |
[1020110077687] | 발광 다이오드 구동 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020110073670] | 삼각파 발생 장치 및 그것의 삼각파 발생 방법 | 새창보기 |
[1020110071900] | ESD 보호소자 | 새창보기 |
[1020110066884] | 전류 감지를 이용한 전류 공급 장치 | 새창보기 |
[1020110064286] | ESD 보호소자 | 새창보기 |
[1020110061381] | 증폭기를 공유하는 회로에서 메모리 효과를 제거하는 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020110058285] | 오프셋 전압 보상 기능을 갖는 발광 다이오드 구동 장치 | 새창보기 |
[1020110057378] | 조명구동장치 | 새창보기 |
[1020110057375] | 디지털 출력의 오차를 보정하는 방법 및 이를 이용한 폴딩-인터폴레이션 아날로그-디지털 변환기 | 새창보기 |
[1020110056421] | CDS를 이용한 ADC 및 이를 이용한 AD 변환방법 | 새창보기 |
[1020110049807] | 증폭회로 및 그를 구비한 아날로그 디지털 변환회로 | 새창보기 |
[1020110040171] | 광대역 가변 입력신호를 처리할 수 있는 아날로그 디지털 변환기 | 새창보기 |
[1020110038934] | 두 채널간에 증폭기 공유기법을 이용한 ADC | 새창보기 |
[1020110036187] | 전동기 제어 장치 및 그것의 제어 방법 | 새창보기 |
[1020110026346] | 센서리스 비엘디씨 모터 시스템 및 센서리스 비엘디씨 모터의 구동 방법 | 새창보기 |
[1020100113653] | 터널링 전계효과 트랜지스터를 이용한 1T 디램 셀 소자 (CAPACITORLESS 1T DRAM CELL DEVICE USING TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR) | 새창보기 |
[1020100087100] | 레인지―스케일링 기법이 적용된 파이프라인 구조의 ADC (Analog-to-Digital Converter using range-scaling method) | 새창보기 |
[1020100079077] | 이차원 INL bounded 스위칭 기법을 사용하는 DAC (Digital-to-Analog Converter using 2D INL bounded switching scheme) | 새창보기 |
[1020100075309] | 커패시터 및 증폭기를 공유하는 ADC (Analog-to-Digital Converter sharing capacitors and amplifiers) | 새창보기 |
[1020100027826] | 다중 부분 정합 기법을 이용한 전류 구동 방식의 DAC (Current steering DAC based on a multi-local matching technique) | 새창보기 |
[1020100027825] | 가변 이득 증폭기를 갖는 ADC (ADC using Variable Gain Amplifier) | 새창보기 |
[1020100011084] | CMOS 이미지 센서 | 새창보기 |
[1020100002352] | 디스플레이 및 모바일용 PMIC 및 BMIC 개발의 사업수행 결과로서 취득한 지식재산권 및 기타 노하우 | 새창보기 |
[1020090073823] | M-PAM 시그널링 방법 및 그에 따른 M-PAM 드라이버, 수신기(M-PAM SIGNALLING METHOD AND M-PAM DRIVER AND RECEIVER THEREOF) | 새창보기 |
[1020090039551] | 아날로그/디지털 변환기 용 저전력 저역입력 잡음 비교기 회로 | 새창보기 |
[1020090039419] | 저전압 용 디지털 차동 신호 송신기 회로 | 새창보기 |
[1020080106937] | 동작영역이 넓은 디지털제어발진기 | 새창보기 |
[KST2015197226][단국대학교] | ESD 보호회로 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2015197240][단국대학교] | ESD 보호회로 | 새창보기 |
[KST2015197151][단국대학교] | 정전기 방전 보호 장치 | 새창보기 |
[KST2015197149][단국대학교] | ESD 보호소자 | 새창보기 |
[KST2015197211][단국대학교] | 정전 방전 보호 소자 | 새창보기 |
[KST2015197079][단국대학교] | ESD 보호회로 | 새창보기 |
[KST2015197221][단국대학교] | 낮은 트리거 전압과 높은 홀딩 전압 특성을 가지는 정전기 방전 보호소자 | 새창보기 |
[KST2015197222][단국대학교] | ESD 보호회로 | 새창보기 |
[KST2020010499][단국대학교] | 높은 홀딩 전압을 갖는 듀얼 구조의 정전기 방전 보호소자 | 새창보기 |
[KST2015197148][단국대학교] | 정전기 방전 보호 장치 | 새창보기 |
[KST2015197131][단국대학교] | ESD 보호소자 | 새창보기 |
[KST2015197317][단국대학교] | 정전기 방전 보호소자 | 새창보기 |
[KST2015197037][단국대학교] | 정전기 방전 보호 소자 | 새창보기 |
[KST2015228953][단국대학교] | 저전압용 정전기 방전 보호소자(Electrostatic Discharge protection circuit for low-voltage) | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|