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1
하기 화학식 1로 표시되는 실록산-실라잔 변성 아크릴계 화합물:
[화학식 1]
(상기 식에서, R1은 H, 또는 C1∼C4의 알킬기이고, R2는 -(CH2)n-(1≤n≤5), R3∼R11은 서로 같거나 다르며, 직쇄 또는 측쇄의 C1∼C4의 알킬기이고, Ar은 C6∼C10의 방향족 고리이고, 50≤m≤1,000, 5≤n≤100이다)
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2
제1항에 있어서, 상기 R1은 H 또는 메틸기이고, R2는 -C2H4-, 또는 -C3H6-이고, R3 내지 R10은 메틸기 또는 에틸기이고, R11은 t-부틸기이고, Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 100≤m≤500, 10≤n≤50인 실록산-실라잔 변성 아크릴계 화합물
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3
제1항에 있어서, 상기 실록산-실라잔 변성 아크릴계 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것인 실록산-실라잔 변성 아크릴계 화합물:
[화학식 2]
(상기 식에서 50≤m≤1,000, 5≤n≤100이다
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4
하기 반응식 1로 표시되며, 화학식 3의 할로알킬 아크릴레이트 화합물과 화학식 4의 폴리실록산-실라잔 화합물을 반응시켜 제조하는 화학식 1의 실록산-실라잔 변성 아크릴계 화합물의 제조방법:
[반응식 1]
(상기 식에서, R1은 H, 또는 C1∼C4의 알킬기이고, R2는 -(CH2)n-(1≤n≤5)이고, R3∼R11은 서로 같거나 다르며, 직쇄 또는 측쇄의 C1∼C4의 알킬기이고, Ar은 C6∼C10의 방향족 고리이고, 50≤m≤1,000, 5≤n≤100이고,
X는 할로겐 원소이고, M은 알칼리 금속이다)
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5
제4항에 있어서, 상기 X는 Br, Cl 또는 I 이고, M은 Na, K, Li 또는 Cs인 것인 실록산-실라잔 변성 아크릴계 화합물의 제조방법
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6
제4항에 있어서, 상기 반응은 불활성 분위기 하에서 25 내지 80℃에서 30분 내지 5시간 동안 수행하는 것인 실록산-실라잔 변성 아크릴계 화합물의 제조방법
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7
하기 화학식 5로 표시되는 실록산-실라잔 변성 아크릴계 고분자:
[화학식 5]
(상기 식에서, R1은 H, 또는 C1∼C4의 알킬기이고, R2는 -(CH2)n-(1≤n≤5)이고,
polysiloxane은 로 표시되고, polysilazane은 로 표시되며, 이때 R3∼R11은 서로 같거나 다르며, 직쇄 또는 측쇄의 C1∼C4의 알킬기이고, Ar은 C6∼C10의 방향족 고리이고,
50≤m≤1,000, 5≤n≤100이고, 4≤p≤15이다)
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8
제7항에 있어서,
상기 실록산-실라잔 변성 아크릴계 고분자는 중량평균분자량이 10,000∼100,000인 실록산-실라잔 변성 아크릴계 고분자
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9
하기 화학식 6으로 표시되는 실록산-실라잔 변성 아크릴계 블록 공중합체:
[화학식 6]
(상기 식에서, R1은 H, 또는 C1∼C4의 알킬기이고, R2는 -(CH2)n-(1≤n≤5)이고,
polysiloxane은 로 표시되고, polysilazane은 로 표시되며, 이때 R3∼R11은 서로 같거나 다르며, 직쇄 또는 측쇄의 C1∼C4의 알킬기이고, Ar은 C6∼C10의 방향족 고리이고, 50≤m≤1,000, 5≤n≤100이고,
R12 및 R14는 서로 다르며 H 또는 직쇄 또는 측쇄 C1∼C4의 알킬기이고, R13 및 R15는 서로 같거나 다르며 C1∼C10의 직쇄, 측쇄, 또는 환상 지방족 알킬기이고,
1≤p≤20, 5≤q≤200, 및 5≤r≤100이다)
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10
제9항에 있어서, 상기 R12 및 R13은 메틸기이고, R14는 H이고, R15는 부틸기, 펜틸기 또는 헥실기인 실록산-실라잔 변성 아크릴계 블록 공중합체
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11
제9항에 있어서,
상기 실록산-실라잔 변성 아크릴계 블록 공중합체는 중량평균분자량이 40,000∼150,000이고, Tg가 90 내지 100℃인 것인 실록산-실라잔 변성 아크릴계 블록 공중합체
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12
제7항의 실록산-실라잔 변성 아크릴계 고분자 또는 제9항의 실록산-실라잔 변성 아크릴계 블록 공중합체 중 어느 하나를 포함하는 코팅 조성물
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