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플라즈몬 광을 이용한 엑스선 도파로 제조방법

  • 기술번호 : KST2015197474
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈몬에 의한 비정상적 광도파 현상을 이용하여 나노광식각 패턴용 나노선 마스크를 제조하고 이를 사용하여 엑스선 도파로의 코어를 형성하고 도파로의 크래드층을 증착함으로써 엑스선 도파로를 제조하는 방법에 관한 것이다. 수십나노미터 두께의 유전체를 금속박막 사이에 증착하여 나노선 마스크를 제조하고 기판에 포토레지스트를 스핀코팅 한 후 제조된 나노마스크를 정렬시키고 자외선을 조사하여 나노선을 형성하고 이를 엑스선 도파로의 코어로 사용하여 엑스선 도파로를 제조한다. 플라즈몬, 비정상 광도파, X-선 도파로, 나노마스크, 나노선
Int. CL G02B 6/13 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) G03F 1/50 (2006.01) B82Y 40/00 (2006.01)
CPC G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01)
출원번호/일자 1020090018948 (2009.03.05)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1091601-0000 (2011.12.02)
공개번호/일자 10-2010-0100199 (2010.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20111213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재호 대한민국 충청남도 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0136176-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065728-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0508998-84
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0859304-15
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0016320-97
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0059562-70
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0059561-24
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0399998-94
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0665025-77
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0665026-12
12 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0702788-33
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노선 패턴 마스크의 제조 방법에 있어서, (a) 기판 상에 제1 산화막을 형성하는 단계; (b) 상기 산화막 상에 적어도 하나의 금속 나노 박막 및 적어도 하나의 유전체 나노 박막을 교번적으로 형성하는 단계; (c) 상기 금속 나노 박막 및 상기 유전체 나노 박막의 최상부에 제2 산화막을 형성하는 단계; (d) 상기 제1 산화막, 상기 적어도 하나의 금속 나노 박막, 상기 적어도 하나의 유전체 나노 박막 및 상기 제2 산화막을 포함하는 적층 구조물을 절단하는 단계를 포함하되, 상기 적층 구조물을 절단하는 단계는 상기 기판 면에 평행인 방향이 상기 나노선 패턴 마스크의 높이 방향이며, 상기 기판 면에 수직인 방향이 상기 나노선 패턴 마스크의 폭 또는 길이 방향이 되도록 절단하는 나노선 패턴 마스크의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 금속 나노 박막은 금 또는 은을 포함하여 이루어지는 나노선 패턴 마스크의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 금속 나노 박막은 50 nm의 두께를 가지도록 증착되며, 상기 유전체 나노 박막은 30 nm의 두께를 가지도록 증착되는 나노선 패턴 마스크의 제조 방법
4 4
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5 5
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.