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듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015197586
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 전극의 단선을 방지하고, 안정적인 전류특성을 확보할 수 있는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 게이트 전극이 기판의 상부면에 형성된다. 유기 소재의 듀얼 게이트 절연막이 기판의 상부면에 게이트 전극을 덮도록 형성된다. 소스-드레인 전극이 게이트 전극 위의 듀얼 게이트 절연막 위에 형성되며, 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 각각 형성된다. 그리고 유기 반도체층이 소스-드레인 전극을 연결하는 형성된다. 이때 듀얼 게이트 절연막은 게이트 전극을 덮는 제1 게이트 절연막과, 제1 게이트 절연막보다는 두껍게 제1 게이트 절연막 위에 형성된 제2 게이트 절연막을 포함한다. 듀얼, 게이트 절연막, 단선, PVP, 탈포
Int. CL G02F 1/136 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0529(2013.01) H01L 51/0529(2013.01)
출원번호/일자 1020080117949 (2008.11.26)
출원인 동아대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0998978-0000 (2010.12.01)
공개번호/일자 10-2010-0059251 (2010.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20101209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동아대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 사하구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송정근 대한민국 부산광역시 해운대구
2 양재우 대한민국 부산광역시 해운대구
3 박동진 대한민국 대구광역시 달성군 화원읍 구
4 이명원 대한민국 부산광역시 영도구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0814863-79
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0004653-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2009-5002825-97
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0060686-09
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0400542-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2010-5041522-30
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0275815-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0538311-40
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0538312-96
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0410788-83
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0617551-77
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0617553-68
13 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2010.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0679956-96
14 등록결정서
Decision to grant
2010.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0538600-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5242234-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.20 수리 (Accepted) 4-1-2013-0003462-84
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.08.23 수리 (Accepted) 4-1-2013-5115545-52
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-5046693-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2015-5015182-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5140465-53
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부면에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 기판의 상부면에 상기 게이트 전극을 덮는 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol; PVP) 소재의 듀얼 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 위의 상기 듀얼 게이트 절연막 위에 형성하며, 상기 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 각각 소스-드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스-드레인 전극을 연결하는 유기 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 듀얼 게이트 절연막을 형성하는 단계는, PVP를 액상의 PVP 용액으로 제조하는 단계와; 상기 PVP 용액을 1000 내지 2000rpm으로 8 내지 12분 동안 탈포하는 단계와; 상기 탈포된 PVP 용액으로 상기 게이트 전극을 덮는 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 탈포된 PVP 용액으로 상기 제1 게이트 절연막보다는 두껍게 상기 제1 게이트 절연막 위에 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계에서, 상기 제1 및 제2 게이트 절연막은 진공증착, 스핀코팅, 슬릿코팅 및 스크린 프린팅 중에 적어도 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계는, 상기 탈포된 PVP 용액을 상기 게이트 전극을 덮도록 도포하는 단계와; 상기 도포된 PVP 용액을 105 내지 115도에서 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계는, 상기 탈포된 PVP 용액을 상기 제1 게이트 절연막 위에 도포하는 단계와; 상기 도포된 PVP 용액을 180도 내지 220도에서 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
기판과; 상기 기판의 상부면에 형성된 게이트 전극과; 상기 기판의 상부면에 형성되며 상기 게이트 전극을 덮는 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol; PVP) 소재의 듀얼 게이트 절연막과; 상기 게이트 전극 위의 상기 듀얼 게이트 절연막 위에 형성되며, 상기 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 각각 형성된 소스-드레인 전극과; 상기 소스-드레인 전극과, 상기 소스-드레인 전극 사이에 노출된 상기 듀얼 게이트 절연막 부분을 덮는 유기 반도체층;을 포함하며, 상기 듀얼 게이트 절연막은, 상기 게이트 전극을 덮는 제1 게이트 절연막과; 상기 제1 게이트 절연막보다는 두껍게 상기 제1 게이트 절연막을 덮는 제2 게이트 절연막;을 포함하며, 상기 듀얼 게이트 절연막의 소재인 PVP 용액은 1000 내지 2000rpm으로 8 내지 12분 동안 탈포된 PVP 용액인 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 게이트 절연막은 진공증착, 스핀코팅, 슬릿코팅 및 스크린 프린팅 중에 적어도 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터
8 8
삭제
9 9
제6항에 있어서, 상기 제1 게이트 절연막은, 상기 탈포된 PVP 용액을 상기 게이트 전극을 덮도록 도포한 후 105 내지 115도에서 열처리하여 형성한 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터
10 10
제9항에 있어서, 상기 제2 게이트 절연막은, 상기 탈포된 PVP 용액을 상기 제1 게이트 절연막 위에 도포한 후 180 내지 220도에서 열처리하여 형성한 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 절연막을 갖는 유기 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.