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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 과정;소스 전극과 드레인 전극이 형성될 소스-드레인 영역을 플라즈마 공정을 기반으로 상기 게이트 절연막 상에 형성하는 소스-드레인 영역 형성 과정;상기 소스-드레인 영역에 잉크젯 방식으로 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 전극 형성 과정;상기 소스 전극과 드레인 전극 상에 활성층을 형성하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 소스-드레인 영역 형성 과정은상기 게이트 절연막 상에 소스-드레인 영역을 제외시킨 영역에 PR(Photo Resist)을 형성하는 과정;상기 플라즈마 공정을 기반으로 상기 소스-드레인 영역을 식각하는 과정;상기 PR을 제거하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 PR을 형성하는 과정에서 상기 소스 전극과 드레인 전극이 형성될 영역 사이에 뱅크 영역 형성을 위한 PR을 형성하는 과정;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은용액공정을 통하여 실리콘산화물을 형성할 수 있는 실록산(siloxane), 실라젠(silozne) 및 실리케이트(silicate)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 SOG(Spin On Glass) 또는 폴리실라잔(polysilazane)을 포함하는 SOD(Spin On Dielectric), 파릴렌(parylene), 에폭시(epoxy), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(Polyamide, PA), 폴리비닐클로라이드(Polyvinyl chloride, PVC), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol, PVA) 폴리비닐페놀(polyvinylphenol, PVP) 또는 사이클로펜텐(cyclopentene, CyPe) 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은유리, 실리콘(Si), 플라스틱 소재 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 폴리카본에스테르(PolyCarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PolyMethylMetaAcrlate, PMMA), 폴리디메틸실록산(PolyDiMethylSiloxane, PDMS), 폴리에테르이미드(Polyetherimide, PEI), 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketone, PEEK), 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone, PES), 폴리에스테르(Polyester, PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenapthalate, PEN) 및 환형올레핀공중합체(Cyclic Olefin Copolymer, COC)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나에 해당하는 플라스틱 소재인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은폴리티오펜(polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylene vinylene) 및 PEDOT(polyethylenedioxythiophene) /PSS(polystyrenesulfonate) 혼합물 중 선택된 어느 하나로 잉크의 형태로 사용이 가능한 군에서 선택되는 재료인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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제7항에 있어서,상기 전극 형성 과정은상기 전극 형성 재료에 레벨링 에이전트를 첨가하는 과정;상기 레벨링 에이전트가 첨가된 전극 형성 재료를 잉크젯 방식으로 전극이 형성될 영역에 증착하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 레벨링 에이전트는 폴리에테르변성 폴리디메틸실록산, 폴리에스테르변성폴리디메틸실록산, 폴리에테르변성 폴리메틸알킬실록산, 폴리에스테르변성 폴리메틸알킬실록산, 고분자형 불소계 첨가제 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 전극 형성 방법
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상기 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 전극을 포함하는 유기 박막트랜지스터
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상기 제10항에 따른 유기 박막트랜지스터를 포함하는 표시소자
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상기 제11항에 따른 표시 소자를 포함하는 표시용 전자기기
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