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기판 평탄화층을 구비하는 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015197672
담당센터 : 부산기술혁신센터
전화번호 : 051-606-6561

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 플라스틱 기판의 표면에 기판 평탄화층이 형성되어 평탄면을 제공하는 유기박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 유기박막 트랜지스터에서 기판 평탄화층은 표면이 거칠고 고르지 못한 플라스틱 기판을 덮어 평탄면을 제공하며, 이 평탄면의 RMS 거칠기는 1㎚ 이하에 불과하다. 따라서 본 발명은 게이트 전극과 소스/드레인 전극 간의 단락을 방지하여 소자의 안정성을 확보할 수 있고 제조 공정 중의 불량 발생을 줄여 공정 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 본 발명은 기판 평탄화층을 통해 플라스틱 기판의 내열성과 내화학성을 향상시킬 수 있다. 기판 평탄화층은 액상으로 도포 공정이 가능하고 내열성과 내화학성이 우수한 고분자 물질, 예컨대 가교결합 폴리비닐페놀로 이루어진다. 플렉시블 디스플레이 장치, 유기박막 트랜지스터, 플라스틱 기판, 기판 평탄화층, 가교결합 폴리비닐페놀, RMS 거칠기
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
CPC	H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01)
출원번호/일자	1020070141738 (2007.12.31)
출원인	동아대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2009-0073717 (2009.07.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	포기
심사진행상태	포기
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.12.31)
심사청구항수	9

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	동아대학교 산학협력단	대한민국	부산광역시 사하구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이명원	대한민국	부산 영도구
2	류기성	대한민국	부산 사하구
3	송정근	대한민국	부산 해운대구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	박종한	대한민국	서울특별시 구로구 디지털로*길 (구로동, 에이스하이엔드타워차) **호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.12.31	포기 (Abandonment)	1-1-2007-0951269-58
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2009.07.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0283778-66
3	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2009.09.04	수리 (Accepted)	1-1-2009-0545309-09
4	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2009.10.05	수리 (Accepted)	1-1-2009-0608187-25
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2009.11.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0678664-77
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2009.11.04	수리 (Accepted)	1-1-2009-0678685-25
7	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2010.01.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0000945-05
8	[특허 등 절차 포기]취하(포기)서 [Abandonment of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)	2010.02.02	수리 (Accepted)	1-1-2010-0072290-72
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.03.10	수리 (Accepted)	4-1-2010-5041522-30
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.05	수리 (Accepted)	4-1-2011-5242234-34
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.02.20	수리 (Accepted)	4-1-2013-0003462-84
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.08.23	수리 (Accepted)	4-1-2013-5115545-52
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.04.15	수리 (Accepted)	4-1-2014-5046693-38
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.03	수리 (Accepted)	4-1-2015-5015182-38
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5140465-53

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 플라스틱 기판; 상기 플라스틱 기판의 상부면에 형성되어 평탄면을 제공하는 기판 평탄화층; 상기 기판 평탄화층 위에 패터닝되어 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 기판 평탄화층 위에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되도록 상기 게이트 절연막 위에 형성되는 소스/드레인 전극; 상기 소스/드레인 전극의 사이와 상부에 형성되는 유기 반도체막; 을 포함하는 유기박막 트랜지스터
2	2 플라스틱 기판; 상기 플라스틱 기판의 상부면에 형성되어 평탄면을 제공하는 기판 평탄화층; 상기 기판 평탄화층 위에 서로 이격되어 형성되는 소스/드레인 전극; 상기 소스/드레인 전극의 사이와 상부에 형성되는 유기 반도체막; 상기 유기 반도체막 위에 형성되는 게이트 절연막; 상기 소스/드레인 전극의 사이에 대응하여 상기 게이트 절연막 위에 패터닝되어 형성되는 게이트 전극; 을 포함하는 유기박막 트랜지스터
3	3 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 기판 평탄화층이 제공하는 상기 평탄면은 RMS 거칠기가 1㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
4	4 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 기판 평탄화층은 상기 플라스틱 기판의 하부면에도 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
5	5 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 기판 평탄화층은 가교결합 폴리비닐페놀로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
6	6 불순물을 제거하기 위해 플라스틱 기판을 세정하는 단계; 액상 형태로 혼합된 기판 평탄화층 재료를 상기 플라스틱 기판에 도포하고 경화함으로써 상기 플라스틱 기판의 상부면에 평탄면을 제공하는 기판 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 기판 평탄화층 위에 패터닝된 게이트 전극을 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 기판 평탄화층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되도록 상기 게이트 절연막 위에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극의 사이와 상부에 유기 반도체막을 형성하는 단계; 를 포함하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
7	7 불순물을 제거하기 위해 플라스틱 기판을 세정하는 단계; 액상 형태로 혼합된 기판 평탄화층 재료를 상기 플라스틱 기판에 도포하고 경화함으로써 상기 플라스틱 기판의 상부면에 평탄면을 제공하는 기판 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 기판 평탄화층 위에 서로 이격되도록 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극의 사이와 상부에 유기 반도체막을 형성하는 단계; 상기 유기 반도체막 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극의 사이에 대응하여 상기 게이트 절연막 위에 패터닝된 게이트 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
8	8 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서, 상기 기판 평탄화층은 가교결합 폴리비닐페놀로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
9	9 청구항 8에 있어서, 상기 가교결합 폴리비닐페놀은 용매인 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트에 가교제인 폴리 멜라민-코-포름알데히드와 함께 폴리비닐페놀을 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
10	10 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서, 상기 기판 평탄화층의 형성 단계는 상기 기판 평탄화층 재료를 상기 플라스틱 기판에 도포할 때 스핀 코팅 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.12.31	포기 (Abandonment)	1-1-2007-0951269-58
2	의견제출통지서	2009.07.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0283778-66
3	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2009.09.04	수리 (Accepted)	1-1-2009-0545309-09
4	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2009.10.05	수리 (Accepted)	1-1-2009-0608187-25
5	[명세서등 보정]보정서	2009.11.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0678664-77
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2009.11.04	수리 (Accepted)	1-1-2009-0678685-25
7	거절결정서	2010.01.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0000945-05
8	[특허 등 절차 포기]취하(포기)서	2010.02.02	수리 (Accepted)	1-1-2010-0072290-72
9	출원인정보변경(경정)신고서	2010.03.10	수리 (Accepted)	4-1-2010-5041522-30
10	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.05	수리 (Accepted)	4-1-2011-5242234-34
11	출원인정보변경(경정)신고서	2013.02.20	수리 (Accepted)	4-1-2013-0003462-84
12	출원인정보변경(경정)신고서	2013.08.23	수리 (Accepted)	4-1-2013-5115545-52
13	출원인정보변경(경정)신고서	2014.04.15	수리 (Accepted)	4-1-2014-5046693-38
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.03	수리 (Accepted)	4-1-2015-5015182-38
15	출원인정보변경(경정)신고서	2015.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5140465-53


과제고유번호	1415079546
세부과제번호	F0004060-2007-23
연구과제명	OTFT어레이기반기술개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	동아대학교
성과제출연도	2007
연구기간	200506~200803
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020070141738]	기판 평탄화층을 구비하는 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[1020060138994]	유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기

중요키워드

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