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박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015197797
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 절연체의 높이 차이를 이용하여 소스, 드레인 및 게이트 전극을 동시에 형성하여 박막 트랜지스터 제조 공정을 간소화하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 베이스 절연막은 기판 위에 형성되며, 기판이 노출되게 게이트 홀이 형성되어 있다. 소스 및 드레인 전극은 게이트 홀을 중심으로 양쪽의 베이스 절연막 위에 형성된다. 게이트 전극은 게이트 홀의 노출된 기판 위에 형성된다. 게이트 절연막은 게이트 홀을 통하여 게이트 전극 위에 형성된다. 그리고 반도체층은 게이트 전극 위의 게이트 절연막과, 게이트 절연막 양쪽의 소스 및 드레인 전극 부분을 덮도록 형성된다. 이때 게이트 홀을 중심으로 베이스 절연막의 높이 차이를 이용하여 소스, 드레인 및 게이트 전극이 일괄적으로 형성되면서 전기적으로 분리된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01)
출원번호/일자 1020120006600 (2012.01.20)
출원인 동아대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1286526-0000 (2013.07.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.20)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동아대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 사하구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류기성 대한민국 부산광역시 사하구
2 박종승 대한민국 부산광역시 금정구
3 서정화 대한민국 부산 해운대구
4 곽정훈 대한민국 부산 강서구
5 송정근 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동아대학교 산학협력단 부산광역시 사하구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0054984-07
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0767868-89
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0128073-21
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0128074-77
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.20 수리 (Accepted) 4-1-2013-0003462-84
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0433866-33
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.08.23 수리 (Accepted) 4-1-2013-5115545-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-5046693-38
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2015-5015182-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5140465-53
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 형성되며, 상기 기판이 노출되게 게이트 홀이 형성된 베이스 절연막;상기 게이트 홀을 중심으로 양쪽의 상기 베이스 절연막 위에 형성되며, 상기 게이트 홀에 의해 전기적으로 분리되는 소스 및 드레인 전극;상기 게이트 홀의 노출된 상기 기판 위에 형성되며, 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 분리되는 게이트 전극;상기 게이트 홀을 통하여 상기 게이트 전극 위에 형성된 게이트 절연막; 및상기 게이트 전극 위의 상기 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 양쪽의 상기 소스 및 드레인 전극 부분에 접촉하도록 형성된 반도체층; 을 포함하고,상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층 중에 서로 이웃하는 층들은 해당 층을 형성하는 물질을 블랜딩한 용액을 이용한 인쇄 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극과, 상기 게이트 전극은,상기 게이트 홀을 중심으로 상기 베이스 절연막의 높이 차이를 이용하여 상기 베이스 절연막의 상부면과 상기 게이트 홀에 노출된 상기 기판 위에 함께 형성되며, 상기 베이스 절연막의 높이 차이에 의해 서로 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은,상기 베이스 절연막의 상부면과 상기 소스 및 드레인 전극의 상부면 사이에 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층 중에 적어도 하나는 인쇄 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
5 5
삭제
6 6
기판 위에 베이스 절연막을 형성하는 단계;상기 베이스 절연막의 일부를 제거하여 상기 기판이 노출되게 게이트 홀을 형성하는 단계;상기 게이트 홀을 중심으로 양쪽의 베이스 절연막 위에 소스 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 게이트 홀이 노출된 상기 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 단계;상기 게이트 홀을 통하여 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극 위의 상기 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 양쪽의 상기 소스 및 드레인 전극 부분에 접촉하도록 반도체층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 게이트 절연막용 물질과 상기 반도체층용 물질을 블랜딩한 용액을 상기 게이트 전극을 포함하여 상기 소스 및 드레인 전극에 접촉하도록 도포하는 단계;상기 도포된 용액을 건조하여 상기 게이트 절연막과 상기 반도체층으로 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 전극 형성 단계에서,상기 소스 및 드레인 전극과, 상기 게이트 전극은 상기 게이트 홀을 중심으로 상기 베이스 절연막의 높이 차이를 이용하여 상기 베이스 절연막의 상부면과 상기 게이트 홀에 노출된 상기 기판 위에 함께 형성되며, 상기 베이스 절연막의 높이 차이에 의해 서로 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 전극 형성 단계에서,상기 소스 및 드레인 전극과, 상기 게이트 전극은 셔도우 마스크(shodow mask), 습식 식각, 건식 식각 및 인쇄 중에 적어도 하나를 이용한 패터닝 공정을 통하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 베이스 절연막, 상기 소스 및 드레인 전극, 상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층 중에 적어도 하나는 인쇄 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제6항에 있어서,상기 반도체층은 유기, 산화 및 무기 물질 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
12 12
기판 위에 베이스 절연막을 형성하는 단계;상기 베이스 절연막의 일부를 제거하여 상기 기판이 노출되게 게이트 홀을 형성하는 단계;상기 게이트 홀을 중심으로 양쪽의 베이스 절연막 위에 소스 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 게이트 홀이 노출된 상기 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 단계;상기 게이트 홀을 통하여 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극 위의 상기 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 양쪽의 상기 소스 및 드레인 전극 부분에 접촉하도록 반도체층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층 중에 서로 이웃하는 층들은 해당 층을 형성하는 물질을 블랜딩한 용액을 이용한 인쇄 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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