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기판 위에 액상의 반도체를 도포하는 도포 단계;상기 액상의 반도체의 비대칭적인 건조를 통하여 상기 액상의 반도체가 일정한 방향성을 갖도록 결정성장 방향을 제어하여 반도체층을 형성하는 건조 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 반도체의 모폴로지 제어 방법
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제1항에 있어서, 상기 건조 단계는,상기 기판 상에서 전류가 이동하는 방향에 평행한 방향으로 가스를 주입하여 상기 기판 상에서 전류가 이동하는 방향에 평행한 방향으로 상기 액상의 반도체의 결정을 성장시켜 상기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 용액 반도체의 모폴로지 제어 방법
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기판의 상부면에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성 단계;상기 기판의 상부면에 상기 게이트 전극을 덮는 유기 소재의 게이트 절연막을 형성하는 게이트 절연막 형성 단계;상기 게이트 전극 위의 상기 게이트 절연막 위에 형성하되, 상기 게이트 전극을 중심으로 양단부가 근접하게 소스 및 드레인 전극을 형성하는 소스 및 드레인 전극 형성 단계;상기 게이트 전극 위의 상기 소스 및 드레인 전극 부분을 덮도록 액상의 반도체를 도포하는 도포 단계;상기 소스 및 드레인 전극 사이에 전류가 이동하는 방향에 평행한 방향으로 편향되게 상기 액상의 반도체의 비대칭적인 건조를 통하여 상기 액상의 반도체가 일정한 방향성을 갖도록 결정성장 방향을 제어하여 반도체층을 형성하는 건조 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 건조 단계에서,상기 소스 및 드레인 전극 사이에 전류가 이동하는 방향에 평행한 방향으로 가스를 주입하여 상기 전류가 이동하는 방향에 평행한 방향으로 상기 액상의 반도체의 결정을 성장시켜 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 액상의 반도체는 유기물, 무기물, 산화물 및 이들의 혼합물 중에 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 건조 단계는,상기 소스 전극에서 상기 드레인 전극 방향으로 상기 가스를 흘려주거나, 상기 드레인 전극에서 상기 소스 전극 방향으로 상기 가스를 흘려주는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극 형성 단계는,상기 소스 및 드레인 전극이 형성될 상기 게이트 절연막 부분을 식각하여 소스-드레인 영역을 형성하는 단계;상기 소스-드레인 영역을 포함하여 상기 게이트 절연막의 상부면에 돌출되게 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 도포 단계에서,상기 액상의 반도체의 도포 방법은 잉크젯, 스크린, drop casting, deep coating, silt coating, 스핀코팅, 마이크로 컨텍 프린팅, imprinting, 플렉소, 그라비아, 오프셋 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 액상의 반도체는 펜타센(pentacene)의 치환기를 포함하는 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 건조 단계에서,가스의 흐름, 원심력, 온도차, 전기력 또는 자기력 중에 적어도 하나를 이용하여 상기 기판 상에서 전류가 이동하는 방향에 평행한 방향으로 상기 액상의 반도체의 결정을 성장시켜 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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기판;상기 기판의 상부면에 형성된 게이트 전극;상기 기판의 상부면에 상기 게이트 전극을 덮는 유기 소재의 게이트 절연막;상기 게이트 전극 위의 상기 게이트 절연막 위에 형성되며, 상기 게이트 전극을 중심으로 양단부가 근접하게 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 게이트 전극 위의 상기 소스 및 드레인 전극 부분을 덮도록 액상의 반도체를 도포하여 형성하되, 상기 액상의 반도체를 도포한 후 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 전류가 이동하는 방향에 평행한 방향으로 결정을 성장시켜 형성한 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제12항에 있어서, 상기 반도체층은상기 액상의 반도체를 도포한 후 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 전류가 이동하는 방향에 평행한 방향으로 불활성 가스를 주입하여 상기 불활성 가스가 흐르는 방향으로 평행하게 상기 액상의 반도체의 결정성장을 유도하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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