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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 과정;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 과정;상기 게이트 절연막 상에 채널로 구성되는 일정 간격을 두고 대면되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 과정;상기 소스 전극 및 드레인 전극의 표면 특성을 비대칭적으로 형성하는 표면 특성 처리 과정;상기 비대칭 표면 특성을 가지는 소스 전극 및 드레인 전극 상에 유기 반도체층을 형성하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 표면 특성 처리 과정은상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나의 표면에 표면 특성을 다르게 구성하는 특성층을 형성하는 과정인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 특성층을 형성하는 과정은상기 드레인 전극의 표면 상태를 유지하고 상기 소스 전극 상에 제1 특성층을 형성하는 과정;상기 소스 전극의 표면 상태를 유지하고 상기 드레인 전극 상에 제2 특성층을 형성하는 과정;상기 소스 전극 상에 제1 특성층을 형성하고 상기 드레인 전극 상에 제2 특성층을 형성하는 과정; 중 어느 하나의 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 제1 특성층 및 상기 제2 특성층은서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 특성층 및 상기 제2 특성층은상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 제1 특성층 및 상기 제2 특성층은잉크젯 방법에 의하여 도포된 후 건조되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 특성층을 형성하는 과정은제1 두께의 특성층을 소스 전극 또는 드레인 전극에 형성하는 과정;상기 제1 두께의 특성층과 동일한 재질을 가지되 두께가 다른 제2 두께의 특성층을 상기 드레인 전극 또는 소스 전극에 형성하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 과정은상기 소스 전극 및 드레인 전극의 두께가 상기 특성층들 형성 이후에도 동일한 높이를 가지도록 비대칭적으로 형성하는 과정인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체층을 형성하는 과정은잉크젯 방식에 의하여 유기 반도체층 재료를 도포하되 유기물, 무기물, 산화물 중 어느 하나 또는 조합에 의하여 생성된 유기 반도체 재료를 도포하여 형성하는 과정인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 유기물은 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 도포된 이후 자기 응집에 따라 일정 방향으로 결정이 성장하는 물질인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 유기 반도체층을 형성하면서 상기 유기 반도체 드롭 도포 시 기판에 열을 가하는 과정;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 유기 반도체층을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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상기 제12항에 따른 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시소자
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상기 제13항에 따른 표시 소자를 포함하는 표시용 전자기기
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