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(a) 기판의 상부면에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
(b) 상기 기판의 상부면에 상기 게이트 전극을 덮는 유기 소재의 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
(c) 상기 게이트 전극 위의 상기 게이트 절연막 위에 형성하며, 상기 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 각각 소스-드레인 전극을 형성하는 단계와;
(d) 상기 소스-드레인 전극 위에 액상의 전도성 폴리머를 프린팅하여 버퍼층을 형성하는 단계와;
(e) 상기 버퍼층과, 상기 버퍼층 사이에 노출된 게이트 절연막을 덮는 유기 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는,
상기 소스-드레인 전극과, 상기 소스-드레인 전극 사이에 노출된 상기 게이트 절연막 위에 액상의 전도성 폴리머를 프린팅하면, 상기 프린팅된 액상의 전도성 폴리머는 친수성인 상기 소스-드레인 전극과 소수성인 상기 게이트 절연막의 표면에너지 차이에 의해 상기 소스-드레인 전극으로 자기적층되어 상기 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 액상의 전도성 폴리머는,
잉크젯팅, 스크린 프린팅 슬릿 코팅 또는 마이크로 컨택으로 프린팅되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 게이트 절연막은 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol; PVP)이고, 상기 액상의 전도성 폴리머는 PEDOT-PSS인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 유기 박막 트랜지스터
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기판과;
상기 기판의 상부면에 형성된 게이트 전극과;
상기 기판의 상부면에 형성되어 상기 게이트 전극을 덮는 유기 소재의 게이트 절연막과;
상기 게이트 전극 위의 상기 게이트 절연막 위에 형성되며, 상기 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 각각 형성된 소스-드레인 전극과;
상기 소스-드레인 전극 위에 액상의 전도성 폴리머를 프린팅하여 형성된 버퍼층과;
상기 버퍼층과, 상기 버퍼층 사이에 노출된 상기 게이트 절연막 부분을 덮는 유기 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제6항에 있어서,
상기 게이트 절연막은 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol; PVP)이고, 상기 액상의 전도성 폴리머는 PEDOT-PSS인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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