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유기 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015198080
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 반도체막에 첨가물을 사용하여 소자 특성을 향상시킨 유기 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, TIPS-펜타센으로 이루어진 유기 반도체 막에 디페닐 에테르(DPE)를 0.5 중량% 이하의 농도로 첨가하거나 클로로나프탈렌(CN)을 0.2 중량% 이하의 농도로 첨가하여 유기 반도체 소자의 전달 특성, 이동도, 점멸비와 같은 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 51/40 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01)
출원번호/일자 1020130016798 (2013.02.18)
출원인 동아대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0104520 (2014.08.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동아대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 사하구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서정화 대한민국 부산시 사하구
2 채길조 대한민국 부산 부산진구
3 송정근 대한민국 부산광역시 해운대구
4 정승현 대한민국 부산 연제구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0141255-95
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.20 수리 (Accepted) 4-1-2013-0003462-84
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.08.23 수리 (Accepted) 4-1-2013-5115545-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0204936-61
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-5046693-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0481258-41
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0481257-06
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0673750-43
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1152669-09
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1152670-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2015-5015182-38
12 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2015.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0027122-74
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0332501-73
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5140465-53
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판에 패터닝되어 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판 상에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 위에 서로 떨어져 형성되는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 사이의 상기 게이트 절연막 위에 형성되는 유기 반도체막;을 포함하며,상기 유기 반도체막은 첨가물을 함유하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
2 2
기판;상기 기판에 패터닝되어 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판 상에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 위에 형성되는 유기 반도체막;상기 유기 반도체막 위에 서로 떨어져 형성되는 소스/드레인 전극;을 포함하며,상기 유기 반도체막은 첨가물을 함유하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 유기 반도체막은 TIPS-펜타센(6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-pentacene)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 첨가물은 디페닐 에테르(diphenly ether; DPE) 및 클로로나프탈렌(chloronaphthalene; CN) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 디페닐 에테르는 0
6 6
유기 반도체 소자의 게이트 절연막 위에 유기 반도체막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 유기 반도체막은 첨가물을 함유하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 유기 반도체막은 TIPS-펜타센(6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-pentacene)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 첨가물은 디페닐 에테르(diphenly ether; DPE) 및 클로로나프탈렌(chloronaphthalene; CN) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 디페닐 에테르는 0
10 10
유리 기판에 알루미늄을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 유리 기판 및 상기 게이트 전극에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)을 스핀 코팅하고 어닐링하여 폴리비닐페놀(PVP)로 이루어진 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 위에 금을 증착하고 리프트-오프(lift-off) 공정으로 패터닝하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극 사이의 상기 게이트 절연막 위에 TIPS-펜타센(6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-pentacene)을 아니솔 용매에 용해한 용액을 드롭 캐스팅(drop casting)하여 유기 반도체막을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 유기 반도체막은 디페닐 에테르(diphenly ether; DPE) 및 클로로나프탈렌(chloronaphthalene; CN) 중에서 선택된 첨가물을 함유하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.