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양극 산화 알루미늄 템플레이트

  • 기술번호 : KST2015198138
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (100) 집합 조직(결정 방위)을 갖춤으로써 나노 금속이 채워지는 미세공의 정밀도가 우수한 양극 산화 알루미늄 템플레이트에 관한 것이다.본 발명은, 알루미늄 재료의 기판; 상기 기판의 일측에 형성된 양극 산화 층; 및 상기 양극 산화 층에 형성된 다수의 나노 크기의 미세공;을 포함하고, 상기 기판은 (100) 집합 조직을 갖는 구조의 양극 산화 알루미늄 템플레이트를 제공한다.본 발명에 의하면, (100) 집합 조직의 양극 산화 알루미늄 템플레이트가 다른 (110),(111) 집합 조직의 양극 산화 알루미늄 템플레이트들 보다 우수한 평면 미세공의 형태 및 단면 미세공의 정렬 도를 갖는다. 따라서 본 발명에 의하면 직경 및 길이 측면에서 균일도가 우수한 나노 로드를 얻을 수 있는 것이다.집합 조직, 결정 방위, 양극 산화 알루미늄 템플레이트, 알루미늄 기판, 나노 크기 미세공, 나노 로드
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020060103926 (2006.10.25)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0830834-0000 (2008.05.13)
공개번호/일자 10-2008-0037191 (2008.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20080520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.25)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인수 대한민국 서울 도봉구
2 박병현 대한민국 경북 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건철 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)(특허법인이룸리온)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0772142-25
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0495086-72
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0812816-52
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0897070-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0029837-90
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0249310-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5248845-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
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번호 청구항
1 1
나노 구조물을 제작하는 데에 사용되는 양극 산화 알루미늄 템플레이트에 있어서,알루미늄 재료의 기판;상기 기판의 일측에 형성된 양극 산화 층; 및상기 양극 산화 층에 형성된 다수의 나노 크기의 미세공;을 포함하고,상기 기판은 (100) 집합 조직을 갖는 것임을 특징으로 하는 양극 산화 알루미늄 템플레이트
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.