맞춤기술찾기

이전대상기술

양극 산화 장치

  • 기술번호 : KST2015198141
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 간단한 구조를 갖추고, Al 재료 표면에 정밀도가 우수한 미세공을 갖는 양극 산화 막을 형성시키기 위한 양극 산화 장치에 관한 것이다.본 발명은, 내부에 냉매가 순환되는 공간을 형성하고 상부 면에는 홈이 형성된 냉각 대; 상기 냉각 대의 홈에 안착되고, 상부 면에 올려진 Al 재료에 전원을 공급하는 양전극이 형성된 전극 받침 판; 상기 냉각 대의 상부에 위치되어 결합되고, 내부에 담긴 전해액이 상기 Al 재료에 접촉하여 화학 반응함으로써 양극 산화 막을 형성하며, 내부에는 냉매가 순환되는 공간을 형성하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 상부를 덮고, 상기 전해액에 전원을 공급하는 음전극이 형성된 커버; 및 상기 냉각 대와 반응 챔버에 냉매를 순환 공급시키는 냉매 공급 계통;을 포함하는 양극 산화 장치를 제공한다.본 발명에 의하면 구조가 간단하고 각각의 부품들의 분해조립이 가능하여 소제가 간편하면서도 Al 재료의 표면에 정밀도가 우수한 미세공의 양극 산화 막을 형성시켜 양질의 양극 산화 알루미늄 템플레이트를 제작할 수 있으며, 이를 이용하여 균일한 크기의 나노 로드를 얻을 수 있는 우수한 효과가 얻어지는 것이다.양극 산화 장치, 전극 받침 판, 반응 챔버, 양극 산화 막, Al 템플레이트
Int. CL C25D 11/00 (2006.01.01) C25D 11/04 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC C25D 11/005(2013.01) C25D 11/005(2013.01) C25D 11/005(2013.01)
출원번호/일자 1020060110331 (2006.11.09)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0851204-0000 (2008.08.01)
공개번호/일자 10-2008-0042225 (2008.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20080807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.09)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김인수 대한민국 서울특별시 도봉구
2 박병현 대한민국 경북 구미시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이건철 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)(특허법인이룸리온)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0819996-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0061977-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0599219-64
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0012441-26
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0240265-70
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.05.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0023449-33
8 등록결정서
Decision to grant
2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0390027-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5248845-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
Al 재료의 표면에 양극 산화 피막을 형성하는 장치에 있어서,내부에 냉매가 순환되는 공간을 형성하고 상부 면에는 홈이 형성된 냉각 대;상기 냉각 대의 홈에 안착되고, 상부 면에 올려진 Al 재료에 전원을 공급하는 양전극이 형성된 전극 받침 판;상기 냉각 대의 상부에 위치되어 결합되고, 내부에 담긴 전해액이 상기 Al 재료에 접촉하여 화학 반응함으로써 양극 산화 막을 형성하며, 내부에는 냉매가 순환되는 공간을 형성하는 반응 챔버;상기 반응 챔버의 상부를 덮고, 상기 전해액에 전원을 공급하는 음전극이 형성된 커버; 및상기 냉각 대와 반응 챔버에 냉매를 순환 공급시키는 냉매 공급 계통;을 포함하되,상기 반응 챔버는 상기 냉각 대에 견고히 결합되기 위한 결합 수단을 포함하고, 상기 결합 수단은 다수의 볼트들과 상기 볼트들이 끼워지도록 된 플랜지를 상기 반응 챔버의 하단에 구비하며, 상기 냉각 대에는 암나사 구멍을 형성하여 상기 볼트들이 나사결합되는 것임을 특징으로 하는 양극 산화 장치
5 5
Al 재료의 표면에 양극 산화 피막을 형성하는 장치에 있어서,내부에 냉매가 순환되는 공간을 형성하고 상부 면에는 홈이 형성된 냉각 대;상기 냉각 대의 홈에 안착되고, 상부 면에 올려진 Al 재료에 전원을 공급하는 양전극이 형성된 전극 받침 판;상기 냉각 대의 상부에 위치되어 결합되고, 내부에 담긴 전해액이 상기 Al 재료에 접촉하여 화학 반응함으로써 양극 산화 막을 형성하며, 내부에는 냉매가 순환되는 공간을 형성하는 반응 챔버;상기 반응 챔버의 상부를 덮고, 상기 전해액에 전원을 공급하는 음전극이 형성된 커버; 및상기 냉각 대와 반응 챔버에 냉매를 순환 공급시키는 냉매 공급 계통;을 포함하되,상기 반응 챔버는 상기 전극 받침 판에 견고히 결합되기 위한 결합 수단을 포함하고, 상기 결합 수단은 다수의 볼트들과 상기 볼트들이 끼워지도록 된 플랜지를 상기 반응 챔버의 하단에 구비하며, 상기 전극 받침 판에는 암나사 구멍을 형성하여 상기 볼트들이 나사결합되는 것임을 특징으로 하는 양극 산화 장치
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.