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나노 로드(nanorod)를 제조하는 방법에 있어서,양극 산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)의 일 측면에서 나노 크기의 다수의 미세공이 형성된 양극 산화 부의 표면을 종자 금속(seed metal)으로 증착하는 단계; 상기 종자 금속(seed metal) 층상에 금속을 전기도금 하여 기판 금속을 형성하는 단계;상기 양극 산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)의 기판 금속과 양극 산화 부를 제외한 알루미늄 기판을 에칭으로 제거하는 단계;상기 양극 산화 부에 형성된 다수의 미세공 밑단을 형성하는 배리어 층(barrier layer)을 제거하여 각각의 미세공을 개방시키는 단계;상기 양극 산화 부의 개방된 미세공을 전기 도금(Watt) 용액에 담그고, 직류(DC) 전기 도금하여 각각의 미세공 내에 금속을 채우는 단계; 및상기 양극 산화 부를 에칭 처리하여 제거하고, 상기 미세공 내에서 형성된 다수의 나노 금속들을 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)를 이용한 나노 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 양극 산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)는 알루미늄 기판의 일 측면을 양극 산화 처리하여 양극 산화 부를 형성하고, 상기 양극 산화 부에는 다수의 나노 크기의 미세공이 형성된 것임을 특징으로 하는 양극 산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)를 이용한 나노 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 종자 금속, 기판 금속 및 나노 금속들은 서로 동일한 금속임을 특징으로 하는 양극 산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)를 이용한 나노 로드의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 종자 금속, 기판 금속 및 나노 금속들은 전기 도금이 가능한 금속 중의 어느 하나인 것임을 특징으로 하는 양극 산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)를 이용한 나노 로드의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 종자 금속, 기판 금속 및 나노 금속들은 Ni, Cu, Cr, Sn, Cd, Pb, Ag, Au, Rd, Pt, Pd, In, Ru 및 이들의 각종 합금 중의 어느 하나인 것임을 특징으로 하는 양극 산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)를 이용한 나노 로드의 제조 방법
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대면적 고(高) 정열의 나노구조를 갖는 나노 로드(nanorod)에 있어서,산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)에 증착된 종자 금속(seed metal) 층상에 금속을 전기도금 하여 얻어진 기판 금속; 및상기 기판 금속에 직류 전기 도금되어 일체로 돌출되고, 상기 산화 알루미늄 템플레이트(AAO Template)를 제거하여 외부로 노출되는 다수의 나노 금속;을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 로드
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제6항에 있어서, 상기 다수의 나노 금속들은 균일한 직경과 길이를 갖는 것임을 특징으로 하는 나노 로드
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제6항에 있어서, 상기 종자 금속, 기판 금속 및 나노 금속들은 서로 동일한 금속임을 특징으로 하는 나노 로드
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제8항에 있어서, 상기 종자 금속, 기판 금속 및 나노 금속들은 전기 도금이 가능한 금속 중의 어느 하나인 것임을 특징으로 하는 나노 로드
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제9항에 있어서, 상기 종자 금속, 기판 금속 및 나노 금속들은 Ni, Cu, Cr, Sn, Cd, Pb, Ag, Au, Rd, Pt, Pd, In, Ru 및 이들의 각종 합금 중의 어느 하나인 것임을 특징으로 하는 나노 로드
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