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메조 기공이 형성된 제1 금속 산화물, 및상기 제1 금속 산화물의 메조 기공 내 및 그 표면에 형성된 제2 금속 산화물을 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 산화물은 Sn, Si, Ti, Ge, Pb, Bi, Sb 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 산화물인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 산화물은 SnxO2-y(0<x≤1, 0≤y<2), SixO2-y(0<x≤1, 0≤y<2), GexO2-y(0<x≤1, 0≤y<2), PbxO2-y(0<x≤1, 0≤y<2), BixO1-y(0<x≤1, 0≤y<1), SbxO2-y(0<x≤2, 0≤y<1) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 산화물은 SnO, SnO2, SiO, SiO2, GeO2, PbO, PbO2, BiO, Sb2O 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 산화물은 3 내지 10 nm 크기의 메조 기공을 가지는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 산화물은 비표면적이 200 m2/g 이하인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 제2 금속 산화물은 Sn, Si, Ti, Ge, Pb, Bi, Sb 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 산화물인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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8
제 1 항에 있어서,상기 제2 금속 산화물은 SnxO2-y(0<x≤1, 0≤y<2), SixO2-y(0<x≤1, 0≤y<2), GexO2-y(0<x≤1, 0≤y<2), PbxO2-y(0<x≤1, 0≤y<2), BixO1-y(0<x≤1, 0≤y<1), SbxO2-y(0<x≤2, 0≤y<1) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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9
제 1 항에 있어서,상기 제2 금속 산화물은 SnO, SnO2, SiO, SiO2, GeO2, PbO, PbO2, BiO, Sb2O 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 제2 금속 산화물은 평균 입경이 10 nm 이하인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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11
제 1 항에 있어서,상기 제2 금속 산화물은 비표면적이 200 m2/g 이하인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 음극 활물질은 제1 금속 산화물과 제2 금속 산화물이 9:1 내지 1:9의 중량비로 존재하는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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메조 기공이 형성된 제1 금속 산화물과 제2 금속 산화물을 균일하게 혼합하는 단계, 및얻어진 혼합물을 건조하고 열처리하는 단계를 포함하는 제 1 항의 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조방법
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제 13 항에 있어서,제1 금속 산화물과 제2 금속 산화물은 9:1 내지 1:9의 중량비로 혼합 사용하는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 건조는 50 내지 90 ℃에서 수행하는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 열처리는 500 내지 800 ℃에서 수행하는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조방법
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양극 활물질을 포함하는 양극 음극 활물질을 포함하는 음극 및 이들 사이에 존재하는 전해질을 포함하고, 상기 음극 활물질이 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 음극 활물질인 것인 리튬 이차 전지
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