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균일한 모폴로지를 갖는 산화아연 나노로드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015198163
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노로드(nanorods)를 제조하는 방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 상기 나노로드(nanorods)는 아세트산아연(zinc acetate)을 결정핵으로 제조하는 결정핵제조단계; 상기 결정핵을 질산아연(zinc nitrate) 용액에 넣고 산화아연(zinc oxide, ZnO) 결정을 성장시키는 결정성장단계; 및 상기 성장된 산화아연(zinc oxide, ZnO)결정을 어닐링(annealing)하는 어닐링(annealing)단계;를 포함하여 제조되는 모폴로지(morphology)가 균일한 산화아연(zinc oxide, ZnO) 나노로드(nanorods)의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 산화아연(zinc oxide, ZnO) 나노로드(nanorods)는 어닐링(annealing)단계를 포함하는데, 상기 어닐링(annealing)단계의 어닐링(annealing) 온도는 400℃ 내지 600℃로 하고, 어닐링(annealing) 시간을 10분 내지 30분으로 하여 모폴로지(morphology)가 균일한 산화아연(zinc oxide, ZnO) 나노로드(nanorods)를 제조하는 것을 특징으로 한다. 산화아연, 나노로드, 모폴로지, 디스플레이 투명전극, 태양전지, 광소자
Int. CL B82Y 20/00 (2011.01) C01G 9/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020070132364 (2007.12.17)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0064971 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상우 대한민국 경북 구미시
2 김대희 대한민국 경북 구미시
3 박현규 대한민국 경북 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0906120-10
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0541941-41
3 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0556561-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0422851-74
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0771568-07
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5248845-02
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0022090-31
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0177909-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노로드를 제조하는 방법에 있어서, 상기 나노로드는 아세트산아연으로 결정핵을 제조하는 결정핵제조단계; 상기 결정핵을 질산아연(zinc nitrate) 용액에 넣고 산화아연 결정을 성장시키는 결정성장단계; 및 상기 성장된 산화아연결정을 어닐링하는 어닐링단계;를 포함하여 제조되는 모폴로지가 균일한 산화아연 나노로드의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 어닐링단계의 어닐링 온도는 400℃ 내지 600℃로 하는 것을 특징으로 하는 모폴로지가 균일한 산화아연 나노로드의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 어닐링단계의 어닐링은 어닐링 시간을 10분 내지 30분으로 하는 것을 특징으로 하는 모폴로지가 균일한 산화아연 나노로드의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 결정성장단계는 50℃ 내지 120℃에서 습식방법으로 산화아연 결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 모폴로지가 균일한 산화아연 나노로드의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 결정성장단계의 질산아연(zinc nitrate) 용액은 질산아연(zinc nitrate) 분말을 50℃ 내지 120℃의 온도에서 증류수와 헥사메틸렌테트라아민(hexamethylenetetramine)에 희석시켜 질산아연(zinc nitrate) 용액을 제조하는 것을 특징으로 하는 모폴로지가 균일한 산화아연 나노로드의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 결정핵제조단계의 결정핵은 아세트산아연 분말을 상압하 50℃ 내지 120℃의 온도에서 아세톤(acetone)에 희석시켜 아세트산아연 용액을 제조하는 것을 특징으로 하는 모폴로지가 균일한 산화아연 나노로드의 제조 방법
7 7
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재되어 있는 제조 방법으로 제조된 모폴로지가 균일한 산화아연 나노로드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.