맞춤기술찾기

이전대상기술

POSS-PLA를 포함하는 고분자PLA/POSS-PLA 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015198164
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 POSS-PLA와 고분자 PLA/POSS-PLA에 관한 것이다. 본 발명은 또한 폴리헤드럴올리고머형 실세스퀴옥산(POSS, Polyhedral oligomeric silsesquioxane)과 폴리락타이드(PLA, polylactide)를 개환중합하여 고분자 POSS-PLA를 제조하고, 상기 POSS-PLA와 PLA 단독고분자를 용융혼합 또는 용액혼합하여 고분자 PLA/POSS-PLA를 제조하는 방법을 포함한다. 본 발명의 고분자 PLA/POSS-PLA로부터 필름, 섬유, 플라스틱 등 다양한 제품을 형성할 수 있다. 폴리헤드럴올리고머형 실세스퀴옥산, 락타이드 단량체, 폴리락타이드, 개환중합, 용융혼합, 용액혼합, 필름, 섬유, 플라스틱
Int. CL C08L 83/04 (2006.01) C08L 67/04 (2006.01) C08J 5/00 (2006.01)
CPC C08L 83/04(2013.01)C08L 83/04(2013.01)C08L 83/04(2013.01)C08L 83/04(2013.01)
출원번호/일자 1020080010150 (2008.01.31)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0979635-0000 (2010.08.26)
공개번호/일자 10-2009-0084144 (2009.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20100901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.31)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정영규 대한민국 경북 구미시
2 이종현 대한민국 경북 김천시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0082415-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0047546-84
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0541941-41
5 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0556561-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5248845-02
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0031728-19
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0194774-96
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0269414-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0269406-46
11 등록결정서
Decision to grant
2010.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0367611-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
0
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 POSS의 수산기(-OH)는 1개 내지 16개인 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 PLA는 L,L-락타이드, D,D-락타이드, D,L-락타이드 및 그의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 단량체로 구성된 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA
5 5
삭제
6 6
0
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 PLA는 L,L-락타이드, D,D-락타이드, D,L-락타이드 및 그의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 한 가지 이상의 단량체를 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA를 제조하는 방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 유기금속촉매로서 염화주석(stannic chloride), 산화주석(stannous oxide), 옥토산 주석(stannous octoate), 염화주석이수화물(stannous chloride dihydrate), 테트라페닐주석(tetraphenyl tin) 중에서 선택되는 주석계통 촉매; 아연 가루, 염화 아연(zinc chloride), 산화아연(zinc oxide), 옥토산 아연(zinc octate), 디에틸아연(diethyl zinc) 중에서 선택되는 아연계통 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA를 제조하는 방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 개환중합은 반응온도를 120 내지 240 ℃로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA를 제조하는 방법
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 개환중합은 반응압력을 0
11 11
제 6 항에 있어서, 상기 개환중합은 유기용매의 존재 하에서 반응온도를 20 내지 110 ℃로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA를 제조하는 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 유기용매로서 클로로포름, 톨루엔, 테트라하이드로퓨란 또는 메틸렌클로라이드를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA를 제조하는 방법
13 13
제 6 항에 있어서, 상기 혼합은 반응온도를 160 내지 240 ℃로 하여 용융혼합하는 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA를 제조하는 방법
14 14
제 6 항에 있어서, 상기 혼합은 반응온도를 20 내지 70 ℃로 하여 용액혼합하는 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA를 제조하는 방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 용액혼합은 용매로서 클로로포름, 톨루엔, 테트라하이드로 퓨란, 메틸렌클로라이드를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 PLA/POSS-PLA를 제조하는 방법
16 16
제 2 항의 고분자 PLA/POSS-PLA로부터 제조된 물품
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 물품은 필름, 섬유, 플라스틱 중 어느 하나인 물품
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.