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압전 물질을 포함하는 나노 구조물에 수산화 이온을 제공하여 상기 나노 구조물의 외부 면을 식각하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 나노 구조물을 염기성 용액과 접촉시켜 상기 나노 구조물을 식각하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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3
제 2 항에 있어서,
상기 염기성 용액의 농도, 상기 염기성 용액의 온도 또는 식각 시간 중 하나 이상을 조절함으로써 상기 식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,
상기 식각은 100℃ 이하의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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5
제 2 항에 있어서,
기판상에 압전 물질을 포함하는 나노 로드를 형성하는 단계; 및
상기 나노 로드를 염기성 용액과 접촉시켜 상기 나노 로드의 표면을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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6
제 5 항에 있어서,
상기 기판으로 질화 갈륨 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판, ITO층이 형성된 유리 기판 또는 ITO 층이 형성된 플라스틱 기판 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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7
제 2 항에 있어서,
상기 염기성 용액은, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화루비듐, 수산화세슘, 수산화프랑슘, 수산화바륨, 수산화스트론튬, 수산화칼슘, 수산화구리, 수산화철, 수산화암모늄, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라부틸암모늄, 수산화콜린, 알라닌, 포스파젠, 히스티딘, 이미다졸, 벤지이미다졸, 퓨린, 피리딘, 피리디민 및 메틸아민으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 또는 이들의 2 이상의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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8
제 2 항에 있어서,
상기 압전 물질은 산화아연(ZnO)이며, 상기 염기성 용액은 수산화칼륨(KOH) 수용액이고,
상기 수산화칼륨(KOH) 수용액의 농도는 0
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9 |
9
제 2 항에 있어서,
상기 압전 물질은 산화아연(ZnO)이며, 상기 염기성 용액은 수산화칼륨(KOH) 수용액이고,
상기 수산화칼륨(KOH) 수용액의 농도는 0
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10
제 2 항에 있어서,
상기 압전 물질은 산화아연(ZnO)이며, 상기 염기성 용액은 암모니아(NH3) 수용액이고,
상기 암모니아(NH3) 수용액의 농도는 0
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11 |
11
제 2 항에 있어서,
상기 압전 물질은 산화아연(ZnO)이며, 상기 염기성 용액은 암모니아(NH3) 수용액이고,
상기 암모니아(NH3) 수용액의 농도는 0
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제 1 항에 있어서,
상기 압전 물질은, 알루미늄오르토포스페이트(AlPO4), 석영, 로쉘염, 토파즈, 갈륨오르토포스페이트(GaPO4), 란타늄갈륨실리케이트(La3Ga5SiO14), 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산비스무스(Bi4Ti3O12), 티탄산납(PbTiO3), 산화아연(ZnO), 티탄산지르코늄납(PZT; Pb[ZrXTi1-X]O3 0003c#x003c#1), 티탄산란탄늄비스무스(BLT; [Bi4-XLaX]Ti3O12 0003c#x003c#1), 산화주석(SnO2), 칼륨니오베이트(KNbO3) 리튬니오베이트(LiNbO3), 리튬탄탈레이트(LiTaO3), 나트륨텅스테이트(Na2WO3), 나트륨바륨니오베이트(Ba2NaNb5O5), 칼륨납니오베이트(Pb2KNb5O15), 나트륨칼륨니오베이트(KNaNb5O5) 및 비스무스페라이트 (BiFeO3)로 이루어지는 그룹에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
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13
나노 구조물에 있어서,
압전 물질을 포함하여 이루어지며, 상기 나노 구조물 외부의 식각된 면을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물
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14
제 13 항에 있어서,
상기 나노 구조물은 나노 로드인 것을 특징으로 하는 나노 구조물
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15
제 14 항에 있어서,
상기 식각된 면은 상기 나노 로드의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물
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제 14 항에 있어서,
상기 식각된 면은 상기 나노 로드의 상부 및 측면에 위치하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물
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17
제 13 항에 있어서,
상기 압전 물질은, 알루미늄오르토포스페이트(AlPO4), 석영, 로쉘염, 토파즈, 갈륨오르토포스페이트(GaPO4), 란타늄갈륨실리케이트(La3Ga5SiO14), 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산비스무스(Bi4Ti3O12), 티탄산납(PbTiO3), 산화아연(ZnO), 티탄산지르코늄납(PZT; Pb[ZrXTi1-X]O3 0003c#x003c#1), 티탄산란탄늄비스무스(BLT; [Bi4-XLaX]Ti3O12 0003c#x003c#1), 산화주석(SnO2), 칼륨니오베이트(KNbO3) 리튬니오베이트(LiNbO3), 리튬탄탈레이트(LiTaO3), 나트륨텅스테이트(Na2WO3), 나트륨바륨니오베이트(Ba2NaNb5O5), 칼륨납니오베이트(Pb2KNb5O15), 나트륨칼륨니오베이트(KNaNb5O5) 및 비스무스페라이트 (BiFeO3)로 이루어지는 그룹에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 나노 구조물
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나노 구조물을 포함하는 소자에 있어서,
상기 나노 구조물은, 압전 물질을 포함하여 이루어지며, 상기 나노 구조물 외부의 식각된 면을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자
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