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1) 반응로 내에 반응원료부와 일정거리를 두고 기판을 배치하는 단계;2) 주석 또는 주석 전구체를 반응원료부에 배치시키고, 반응원료부에 열을 가하여 반응원료를 기상화시키는 단계; 3) 상기 단계 2)의 기상화된 반응원료를 불활성 기체를 이용하여 일정한 유량으로 하여 반응원료를 기판으로 이동시켜 나노판 구조체를 제조하는 단계; 및4) 상기 나노판 구조체를 0
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제1항에 있어서,상기 주석 또는 주석 전구체는 주석, 산화주석, 주석 나이트레이트 및 주석 아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 산화주석 나노판 복합구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2)의 반응원료는 700~1500 ℃로 열을 가하여 기상화되는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노판 복합구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 산화규소 기판, 질화규소 기판, 질화갈륨 기판, ScAlMgO4 기판, 니오브산리튬 기판, 산화아연 기판 및 사파이어 기판으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 산화주석 나노판 복합구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 불활성 기체의 유량은 700~1500 sccm 범위로 하는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노판 복합구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 불활성 기체로 운반되는 기상화된 반응원료는 200~600 ℃로 유지하여 기판에 증착되는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노판 복합구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반응원료와 기판간의 거리는 5~80 ㎝인 것을 특징으로 하는 산화주석 나노판 복합구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화주석 나노판 복합구조체는 SnO 조성으로 이루어지며, p형 반도체 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노판 복합구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 50% 미만의 산소 분위기 하에서 실시하는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노판 복합구조체 제조방법
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제1항 또는 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화주석 나노판 복합구조체는 SnO2 조성으로 이루어지며, n형 반도체 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노판 복합구조체 제조방법
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