맞춤기술찾기

이전대상기술

산화아연 나노월 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015198323
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연(ZnO nanowalls) 나노월 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 공기 중 대기압에서 산화아연 분말과 흑연 분말을 이용하여 합성하므로 보다 간편하게 산화아연 나노월을 제조할 수 있는 방법 및 형성 원리에 관하여 제공하고자 하는데 그 목적이 있는 것이다.본 발명은 산화아연 분말과 촉매로 작용하는 흑연 분말을 사용하여 아연기체가 GaN 기판 위에 촉매인 금과 반응하며, 화학기상 증착법을 통하여 산화아연 나노월을 제조하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노월의 제조방법을 그 요지로 한다. 또한 기존에 산화아연 나노월 제조를 위한 진공상태 및 가스 분압 등 주위 분위기 조절의 문제점 없이, 공기중 대기압에서 산화시킴으로써 산화아연 나노월을 쉽게 생성시킬 수 있는 방법을 제공한다.본 발명에서는 기판(GaN) 위에 금 박막(3nm)을 증착하여 반응촉매로 사용하였으며, 열에 의한 일정한 크기의 금 입자 형성을 통하여 금 크기에 따라 비교적 균일한 산화아연 나노월을 형성할 수 있음을 제공할 수 있다. 또한 나노월의 형성 원리에 관한 방법도 그 요지로 한다.화학기상증착법, 산화아연 분말, 흑연 분말, 산화아연 나노월, GaN기판
Int. CL C01G 9/02 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020060078884 (2006.08.21)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0017604 (2008.02.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.21)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김상우 대한민국 경상북도 구미시
2 박현규 대한민국 경상북도 구미시
3 이득희 대한민국 경상북도 구미시
4 이진무 대한민국 경상북도 구미시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이건철 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)(특허법인이룸리온)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0593968-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.27 수리 (Accepted) 9-1-2007-0025215-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0420925-38
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0569853-07
6 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2007.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0569928-22
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0666573-62
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0097309-22
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0164556-43
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0164550-70
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0361352-04
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.09.02 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2008-0039334-11
13 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2008.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0513889-75
14 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0513888-29
15 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2008.11.11 수리 (Accepted) 7-8-2008-0037877-41
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2009-5248845-02
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화학기상증착장치에 의한 화학기상증착법을 통하여 공기 중 대기압 상태에서 원료 분말과 촉매로 작용하는 흑연 분말의 열분해 반응에 의해 생성되는 아연 기체와 기판에 증착되는 금속 반응촉매가 기설정된 합성온도에서 반응하여 산화아연 나노월을 제조하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노월의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 원료 분말은 ZnO powder, Zn powder, Zn pellet, Zn metal, DEZn(diethylzine), 및 DMZn(dimethylzinc)중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노월의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 기판은 GaN, Si-wafer, 사파이어(a-Al2O3, c-Al2O3, m-Al2O3, r-Al2O3), ScAlMgO4, LiNbO3, ZnO, SiO2, 및 Si3N4중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노월의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 기판 위에 증착되는 금속 반응촉매는 Au, Zn, Sn, In, Pd, Pd-Au 또는 Pt의 유도체를 포함하되, 촉매의 형태가 두께 1-20nm인 박막 및 직경이 1-100nm인 나노파티클을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노월의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 산화아연 나노월의 합성온도는 300℃-1200℃인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노월의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 산화아연 나노월의 합성과정 중 화학기상증착장치의 반응기 내에 공기, 아르곤 가스, 산소가스, 질소가스, 및 이들의 혼합가스 중 어느 하나의 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노월의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 화학기상증착장치 반응기 내에 유입되는 가스의 양이 10-4000 sccm인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노월의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 화학기상증착법은 열화학기상증착(thermal CVD)법, 유기금속화학기상증착(MOCVD)법 및 플라즈마화학기상증착(PECVD)법 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노월의 제조방법
9 9
제 1항 내지 제 8항 중 어느 하나의 항에 의한 제조방법에 의해 합성된 산화아연 나노월
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.