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표면을 가지는 기판;결정계(crystal system)를 가지는 무기물로서, 상기 결정계의 적어도 하나의 결정면이 상기 기판의 표면에 평행하게 배향되는 무기물; 및상기 기판의 표면 및 무기물 사이에 위치한 그라펜을 포함하며,상기 무기물의 적어도 하나의 결정면(crystal plane)이 상기 그라펜의 (0001) 기준면에 평행하게 배향된 것인 그라펜 및 무기물 함유 구조체
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제1항에 있어서,상기 무기물의 결정면이 육각형, 오각형, 사각형의 원자 배열을 갖는 것인 그라펜 및 무기물 함유 구조체
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제1항에 있어서,상기 무기물의 결정계가 등축정계(cubic system), 정방정계(tetragonal system), 육방정계(hexagonal system), 사방정계(orthorhomic system), 삼방정계(trigonal system), 단사정계(monoclinic system), 또는 삼사정계(triclinic system) 중 하나 이상인 것인 그라펜 및 무기물 함유 구조체
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제1항에 있어서,상기 무기물이 Ge, Si, Sn, SiC, AlAs, AlP, AlSb, Al2O3, BP, GaAs, GaN, GaP, GaSb, GaNO, InN, InNO, InAs, InP, InSb, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbTe, AlN, BN, BNO, MgS, MgSe, 및 MgTe으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것인 그라펜 및 무기물 함유 구조체
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제1항에 있어서,상기 무기물이 ZnO, GaN, Al2O3 또는 이들의 조합물인 것인 그라펜 및 무기물 함유 구조체
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제3항에 있어서,상기 무기물의 육각형 원자배열에서 1번과 3번에 위치한 두 원자 사이의 길이가, 그라펜을 구성하는 육각 단위체의 1번과 4번에 위치한 탄소원자 사이의 길이의 -20% 내지 20%의 범위를 갖는 것인 그라펜 및 무기물 함유 구조체
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제3항에 있어서,상기 무기물의 육각형 원자 배열의 단축과 상기 그라펜의 장축이 동일 방향으로 배향된 것인 그라펜 및 무기물 함유 구조체
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제1항에 있어서,상기 무기물이 에피택시 형태로 그라펜 상에 적층된 것인 그라펜 및 무기물 함유 구조체
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제1항에 있어서,상기 그라펜이 시트 형태로서 1mm2 이상의 면적을 갖는 것인 그라펜 및 무기물 함유 구조체
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제1항 및 제3항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 상기 구조체를 구비하는 전기 소자
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