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연료 전지용 복합 전해질 막

  • 기술번호 : KST2015198358
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 연료 전지용 복합 전해질 막은 전해질 막 기재 내부에 공극이 구비되어 있는 복합 전해질 막으로서, 상기 전해질 막 내부 공극에 헤테로폴리산계 고체산염이 형성되어 이루어진다.본 발명의 복합 전해질 막은 전해질 온도가 상승하더라도 이온 전도도가 유지되어, 전극과 전해질 계면의 저항의 증가를 방지할 수 있다.
Int. CL H01B 1/06 (2006.01) C08J 7/04 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01) C07F 11/00 (2006.01)
CPC H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01)
출원번호/일자 1020100111731 (2010.11.10)
출원인 금오공과대학교 산학협력단, 현대성우홀딩스 주식회사
등록번호/일자 10-1290498-0000 (2013.07.22)
공개번호/일자 10-2012-0050302 (2012.05.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시
2 현대성우홀딩스 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용일 대한민국 경상북도 구미시
2 이상현 대한민국 대구광역시 동구
3 서명우 대한민국 제주특별자치도 제주시 남녕
4 주영호 대한민국 대전광역시 대덕구
5 박성범 대한민국 경북 경주시
6 윤형섭 대한민국 서울특별시 관악구
7 조진훈 대한민국 경상북도 경주시 충효중앙길 *
8 박만석 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 현대성우쏠라이트 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0734820-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5030237-44
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0429195-21
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0779329-71
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0779370-33
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0064380-01
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.02.25 수리 (Accepted) 7-1-2013-0007141-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0260640-73
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.03.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0260627-89
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0268783-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.27 수리 (Accepted) 4-1-2013-5076429-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074356-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
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번호 청구항
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전해질 막 기재 내부에 공극이 구비되어 있는 복합 전해질 막에 있어서, 상기 전해질 막 내부 공극에 헤테로폴리산계 고체산염이 형성되어 있고,상기 헤테로폴리산계 고체산염은 CsxH3-xPW12O40(x는 Cs+의 치환량)로 표시되는 케깅구조이며, 상기 x는 2
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제6항에 있어서,상기 공극에는 12-텅스토 인산 세슘염(CsPWA)이 형성되며,상기 CsPWA는 CuKα(40kV-100mA, 속도 1°/분, 2θ=10~50°)를 사용해서 측정시, 26°, 30°및 38°에서 피크를 나타나는 케깅구조인 것을 특징으로 복합 전해질 막
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제6항에 있어서, 상기 전해질 막 기재는 Nafion 전해질 막, SPEEK 막, 또는 다공성 유리 전해질 막인 것을 특징으로 하는 복합 전해질 막
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복합 전해질 막을 제조하는 방법에 있어서, 내부에 공극이 구비되어 있는 전해질 막 기재를 준비하는 단계;상기 전해질 막 기재를 금속염 용액에 함침하는 단계; 상기 전해질 막 기재를 헤테로 폴리산 용액에 재함침하는 단계; 상기 재함침시킨 전해질 막 기재를 세척, 건조시키는 단계;를 포함하며, 상기 함침하는 단계, 상기 재함침하는 단계 및 세척, 건조시키는 단계를 반복 수행하여, 상기 전해질 막 기재 내부의 공극에 헤테로 폴리산 고체산염이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하며,상기 헤테로 폴리산염은 CsxH3-xPW12O40(x는 Cs+의 치환량)이며, x는 2
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제9항에 있어서, 상기 헤테로폴리산 용액은 포스포 텅스텐산(PW12O40), 실리콘 텅스텐산(SiW12O40), 또는 포스포몰리브덴산(PMo12O40)을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 전해질 막 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.