| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
절연 기판 상의 그래핀 활성층;상기 그래핀 활성층 상의 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 상기 그래핀 활성층 사이의 산화 그래핀층을 포함하고,상기 산화 그래핀층의 상면은 상기 그래핀 활성층의 상면과 공면(coplanar)을 이루고,상기 산화 그래핀층은 상기 그래핀 활성층의 상부 내에 제공되는 그래핀 트랜지스터
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 그래핀 활성층은:상기 산화 그래핀층과 상기 절연 기판 사이의 채널 영역; 및상기 채널 영역의 양 측에 제공되는 소스/드레인 영역들을 포함하는 그래핀 트랜지스터
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서, 상기 채널 영역의 두께는 상기 소스/드레인 영역들의 두께보다 얇은 그래핀 트랜지스터
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서, 상기 채널 영역은 1 내지 3층의 모노 그래핀층들로 구성되고, 상기 소스/드레인 영역들은 4 내지 6층의 모노 그래핀층들로 구성되는 그래핀 트랜지스터
|
| 6 |
6
제 3 항에 있어서, 상기 소스/드레인 영역들의 상면들 상에 각각 제공되는 소스/드레인 전극들을 더 포함하는 그래핀 트랜지스터
|
| 7 |
7
제 2 항에 있어서, 상기 절연 기판은 쿼츠 기판, 유리 기판, 또는 산화막에 의하여 절연된 실리콘 기판인 그래핀 트랜지스터
|
| 8 |
8
절연 기판 상에 그래핀 활성층을 형성하는 것;상기 그래핀 활성층의 상부의 일부를 산화시켜 산화 그래핀층을 형성하는 것; 및상기 산화 그래핀층 상에 게이트 전극을 형성하는 것을 포함하는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 산화 그래핀층의 두께는 상기 그래핀 활성층의 두께보다 얇게 형성되는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 산화 그래핀층을 형성하는 것은:상기 그래핀 활성층의 제 1 영역을 덮는 제 1 마스크층을 형성하는 것;상기 제 1 마스크층에 의하여 노출된 제 2 영역의 상부를 산화시키는 것; 및상기 제 1 마스크층을 제거하는 것을 포함하는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 산화 그래핀은 상기 제 2 영역의 상부에 한정되어 형성되고, 상기 제 2 영역의 하부는 산화되지 않는 트렌지스터의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,상기 제 2 영역 상에 소스/드레인 전극들을 형성하는 것을 더 포함하고,상기 소스/드레인 전극들은 상기 게이트 전극과 동시에 형성되는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 8 항에 있어서,상기 절연 기판 상에 상기 그래핀 활성층을 형성하는 것은:성장 기판 상에 상기 그래핀 활성층을 형성하는 것; 및상기 그래핀 활성층을 상기 절연 기판 상으로 전사(transfer)하는 것을 포함하는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 성장 기판 상에 상기 그래핀 활성층을 형성하는 것은 화학기상 증착법, 에피택시 합성법, 및 박리법 중 적어도 하나에 의해 수행되는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 15 |
15
산화 그래핀층의 제 1 영역을 환원시켜 그래핀 활성층을 형성하는 것;상기 그래핀 활성층이 형성되지 않은 상기 산화 그래핀층의 제 2 영역 상에 게이트 전극을 형성하는 것; 및상기 그래핀 활성층 상에 소스/드레인 전극들을 형성하는 것을 포함하는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 16 |
16
제 15 항에 있어서, 상기 그래핀 활성층은 상기 산화 그래핀층의 두께보다 얇게 형성되는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 17 |
17
제 15 항에 있어서, 상기 그래핀 활성층은 상기 제 2 영역에 의하여 상기 게이트 전극과 이격되는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 18 |
18
제 15 항에 있어서, 상기 그래핀 활성층을 형성하는 것은:성장 기판 상에 상기 산화 그래핀층을 성장시키는 것;상기 산화 그래핀층의 상부 및 측벽들을 환원시키는 것; 및상기 환원된 산화 그래핀층을 절연 기판 상으로 전사하는 것을 포함하고,상기 전사 공정은 상기 산화 그래핀층의 상면이 상기 절연 기판의 상면과 접하도록 수행되는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 19 |
19
제 18 항에 있어서, 상기 성장 기판과 접하는 상기 산화 그래핀층의 하부의 적어도 일부는 환원되지 않는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 20 |
20
제 15 항에 있어서, 상기 산화 그래핀층을 절연 기판 상에 제공하는 것을 더 포함하고,상기 그래핀 활성층을 형성하는 것은:상기 산화 그래핀층 및 상기 절연 기판 상에 제 2 마스크층을 형성하는 것; 및상기 제 2 마스크층에 의하여 노출된 상기 산화 그래핀층에 환원 공정을 수행하는 것을 포함하는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 21 |
21
제 20 항에 있어서, 상기 제 2 마스크층과 접하는 상기 산화 그래핀층의 상부는 환원되지 않고, 상기 제 2 마스크 아래의 영역 중 상기 절연 기판과 접하는 상기 산화 그래핀층의 하부는 환원되는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
| 22 |
22
제 20 항에 있어서, 상기 환원 공정은 하이드라진(hydrazine), 페닐 하이드라진(phenyl hydrazine), 나트륨 하이드라이드, 및 수산화 칼륨(KOH) 중 적어도 하나를 포함하는 환원제를 이용하여 수행되는 그래핀 트랜지스터의 제조 방법
|
