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화합물 반도체 장치 및 화합물 반도체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015198390
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 화합물 반도체 제조방법은, 제 1 기판 및 제 1 화합물 반도체층 중에 선택되는 어느 하나 상에 그래핀에서 유래한 물질층을 형성하는 것; 적어도 상기 그래핀에서 유래한 물질층 상에, 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층을 형성하는 것; 및 상기 그래핀에서 유래한 물질층을 변화시켜, 상기 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층을 분리해 해는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020110112677 (2011.11.01)
출원인 주식회사 엘지실트론, 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1245893-0000 (2013.03.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.01)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시
2 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성진 대한민국 경상북도 구미시
2 이동건 대한민국 경상북도 구미시
3 김석한 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 경상북도 구미시
2 금오공과대학교 산학협력단 경상북도 구미시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0857734-22
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0161410-00
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0071425-04
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0582288-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0930988-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0930987-47
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0166144-02
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 및 제 1 화합물 반도체층 중에 선택되는 어느 하나 상에 제1 그래핀층을 형성하는 단계;상기 제1 그래핀층 상에 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및산화 공정, 열처리 공정 및 환원 공정 중 적어도 하나의 공정을 이용하여 상기 제1 그래핀층을 제2 그래핀층으로 변화시키는 단계; 상기 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층을 상기 기판 또는 상기 제1 화합물 반도체층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제1 그래핀층은 그래핀으로부터 형성된 그래핀 시트인 화합물 반도체 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제2 그래핀층으로 변화시키는 단계는,상기 제1 그래핀층을 상기 산화 공정을 이용하여 산화시킨 산화 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 산화 그래핀층은 상기 제1 그래핀층에 비하여 두꺼워, 상기 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층을 들어 올리는 화합물 반도체 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제1 그래핀층은 산화 그래핀층이고,상기 제2 그래핀층으로 변화시키는 단계는, 상기 산화 그래핀층을 상기 열처리 공정을 이용하여 변형시킨 변형 산화 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 변형 산화 그래핀층은 상기 제1 그래핀층에 비하여 두꺼워, 상기 적어도 한 층의 제2 화합물 반도체층을 들어 올리는 화합물 반도체 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 그래핀층은 산화 그래핀층이고,상기 제2 그래핀층으로 변화시키는 단계는,상기 산화 그래핀층을 상기 환원 공정을 이용하여 상기 제1 그래핀층에서 산소가 빠져나간 것을 제외하고 상기 제1 그래핀층과 유사한 구조를 갖는 유사 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 환원 공정은 화학처리 공정 및 광학처리 공정 중 하나이고,상기 광학처리 공정은, 투과깊이선택형 광처리장비를 이용하여 상기 광처리장비에서 조사된 광이 상기 산화 그래핀층에만 작용하도록 제어하는 화합물 반도체 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 제1 그래핀층은 상기 기판 또는 상기 제 1 화합물 반도체층을 상기 제 2 화합물 반도체층에 노출시키는 화합물 반도체 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층 중에서, 상기 제 1 화합물 반도체층과 접하는 층은 상기 제 1 화합물 반도체층과 동일한 도전형을 갖는 화합물 반도체 제조방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 화합물 반도체층 및 상기 기판 사이에 제3 그래핀층을 형성하는 단계를 더 포함하는 화합물 반도체 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 제3 그래핀층 사이를 통해 상기 제 1 화합물 반도체층이 상기 제 2 기판에 접하도록 형성되는 화합물 반도체 제조방법
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 제1 그래핀층은 상기 제1 화합물 반도체층의 전 영역에 형성되거나상기 제3 그래핀층은 상기 기판의 전 영역에 형성되는 화합물 반도체 제조방법
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층을 상기 기판 또는 상기 제1 화합물 반도체층으로부터 분리하는 단계는 초음파 처리로 수행되는 화합물 반도체 제조방법
16 16
제 1 항에 있어서, 상기 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층에는, n형 화합물 반도체층, 활성층, p형 화합물 반도체층, 및 p형 전극층이 포함되는 화합물 반도체 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 p형 전극층에는 반사층이 포함되는 화합물 반도체 제조방법
18 18
제 1 항에 있어서, 상기 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층에서, 상기 제1 그래핀층과 접하였던 층에는, n형 전극층이 형성되는 화합물 반도체 제조방법
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에, 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 그래핀층에 산화반응 또는 환원반응을 일으켜, 상기 적어도 한 층의 제 2 화합물 반도체층을 분리해 해는 단계를 포함하는 화합물 반도체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 금오공과대학교 산학협력단 기초연구사업-일반연구자지원사업(신진연구지원사업) 산화 그래핀 게이트를 이용한 그래핀 트랜지스터 개발