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전이금속 도핑 이산화티탄 광촉매의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015198392
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전이금속 도핑 이산화티탄 광촉매의 제조방법에 관한 발명이다.본 발명의 전이금속 도핑 이산화티탄 광촉매의 제조방법은 이산화티탄 수용액에 전이금속의 염화물을 첨가하고 이를 밀링한 후 여기에 치환금속을 첨가하고 이를 다시 밀링한다. 그리고 이러한 혼합물을 원심분리기로 원심분리하여 전이금속 도핑 이산화티탄 광촉매를 수득한 후 이를 건조하여 제조한다. 본 발명은 전이금속을 이산화티탄 광촉매에 도핑하여 가시광선 영역에서도 광촉매 반응을 일으킬 수 있다. 또한 이러한 전이금속의 도핑에도 불구하고 이산화티탄 광촉매의 형태에 변형이 생기지 않는 이산화티탄 광촉매를 제조함으로써 가시광선하에서 광촉매의 반응성이 우수한 이산화티탄 광촉매를 제공한다.
Int. CL B01J 37/02 (2006.01) C01G 23/04 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01) B01J 23/745 (2006.01)
CPC B01J 37/0009(2013.01) B01J 37/0009(2013.01) B01J 37/0009(2013.01) B01J 37/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020110022716 (2011.03.15)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1292965-0000 (2013.07.29)
공개번호/일자 10-2012-0105123 (2012.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130029336;
심사청구여부/일자 Y (2011.03.15)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성진 대한민국 경북 구미시
2 박성범 대한민국 경북 경주시
3 반태호 대한민국 충청북도 청주시 상당구
4 조수정 대한민국 경상북도 구미시
5 아미르 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0186827-19
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0213056-58
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0735582-51
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0014599-58
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0104992-50
7 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2013.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0237721-33
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0237733-81
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0237753-94
10 등록결정서
Decision to grant
2013.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0516111-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이산화티탄에 전이금속의 염화물을 이용하여 전이금속을 도핑(dopping)하는 단계; 및주석(Sn), 은(Ag), 구리(Cu) 및 니켈(Ni) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 치환금속으로 상기 전이금속의 염화물로부터 도입된 염소(Cl-)이온을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 도핑 이산화티탄 광촉매 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 전이금속의 염화물을 이용한 도핑이 밀링 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 전이금속 도핑 이산화티탄 광촉매 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 치환금속을 통한 염소(Cl-)이온 제거 단계가 밀링 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 전이금속 도핑 이산화티탄 광촉매 제조방법
4 4
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5 5
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101307647 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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