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비수계 전해액에서 전해법을 이용한 실리콘 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015198439
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비수계 전해액에서 전해법을 이용한 실리콘 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 박막의 제조방법은, 실리콘 박막을 제조할 때 저온(200℃이하)에서 전해법으로 원소 형태의 실리콘의 직접 환원이 가능하며, 단순 공정과 전해조건 변화로 반도체 혹은 태양전지 산업에 활용 가능한 실리콘 박막의 제조가 가능하다.
Int. CL C25D 7/00 (2006.01) C25D 5/00 (2006.01) C25D 17/10 (2006.01)
CPC C25D 9/08(2013.01) C25D 9/08(2013.01) C25D 9/08(2013.01)
출원번호/일자 1020120115628 (2012.10.17)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1356107-0000 (2014.01.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철경 대한민국 서울 강남구
2 박제식 대한민국 경북 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김순웅 대한민국 서울시 구로구 디지털로**길 **, ***호 (구로동,에이스테크노타워*차)(정진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 경상북도 구미시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0845653-31
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0733834-95
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0074208-52
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0680638-67
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-1041602-46
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1041589-39
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1078627-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5177397-22
10 등록결정서
Decision to grant
2014.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0023859-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5047711-41
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 전도성을 가진 전극을 구비한 전해 셀을 실리카염이 용해된 전도성 비수계 용매에 넣는 단계; 및(b) 상기 (a)단계의 전해 셀에 맥동 도금(pulsed plating)을 이용하여 전원을 가하여 음극에서는 실리콘의 환원이 발생하고 전극 표면에는 실리콘 박막이 형성되는 단계;를 포함하는, 실리콘 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a)단계의 전극은 금, 백금, 구리로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상인 것을 특징으로 하는, 실리콘 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (a)단계의 전도성 비수계 용매는 TFSI(bis(trifluoromethylsulfonyl)imide) 음이온을 포함하는 전도성 비수계 용매로서, [BMPy]TFSI(1-Butyl-3-methyl-pyridinium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), PP13TFSI(1-methyl-propylpiperidinium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide) 및 [EMIM]TFSI(1-Ethyl-3-methyl-imidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 실리콘 박막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 전도성 비수계 용매는 PC(Propylene carbonate), DCM(Dichloromethane), THF(Tetrahydrofuran), DCA(dicyanamide) 또는 NMP(N-methylpyrrolidone)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b)단계에서 맥동 도금은 10~100mA/cm2를 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b)단계 이 후에 비활성 기체 분위기 하에 800~900℃에서 30~90분간 열처리하는 단계를 더 포함하는, 실리콘 박막의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 비활성 기체는 아르곤 기체 또는 질소 기체인 것을 특징으로 하는, 실리콘 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 금오공과대학교 산학협력단 글로벌탑 환경기술개발사업 고활성 금속 회수를 위한 친환경 전해시스템 개발