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(a) 실리콘 슬러지와 유기용매를 혼합하여 폐슬러지 내의 절삭유를 분리하는 단계;(b) 상기 절삭유가 분리된 실리콘 슬러지를 자력선별기를 이용하여 철(Fe)을 분리하는 단계;(c) 상기 철이 제거된 실리콘 슬러지에 염소를 첨가 후, 가열하여 사염화실리콘(SiCl4)을 제조하는 단계;(d) 고순도 불활성 기체 분위기 하에서 전도성을 가진 전극을 구비한 전해 셀을 사염화실리콘이 용해된 전도성 비수계 용매에 넣는 단계; 및(e) 상기 (d)단계의 전해 셀에 전원을 가하여 음극에서는 실리콘의 환원이 발생하고 전극 표면에는 실리콘 박막이 형성되는 단계;를 포함하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계에서 유기용매는 클로로포름(chloroform), 에틸 아세테이트(ethyl acetate), 테트라하이드로퓨란(THF), 디클로로메탄(CH2Cl2)인 것을 특징으로 하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제1항에 있어서, 상기 (b)단계에서 자력선별기는 자속밀도 500가우스(gauss)인 것을 특징으로 하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 가열은 800~1200℃에서 30~90분간 수행하는 것을 특징으로 하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제1항에 있어서, 상기 (d)단계에서 전극은 금, 백금, 구리로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상인 것을 특징으로 하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제1항에 있어서, 상기 (d)단계에서 불활성 기체는 질소, 헬륨, 아르곤, 네온, 제논으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제1항에 있어서, 상기 (d)단계의 전도성 비수계 용매는 TFSI(bis(trifluoromethylsulfonyl)imide) 음이온을 포함하는 전도성 비수계 용매로서, [BMPy]TFSI(1-Butyl-3-methyl-pyridinium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), PP13TFSI(1-methyl-propylpiperidinium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide) 및 [EMIM]TFSI(1-Ethyl-3-methyl-imidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제7항에 있어서, 상기 전도성 비수계 용매는 포로필렌 카보네이트(Propylene carbonate), 디클로로메탄(Dichloromethane), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran), 디시아나마이드(dicyanamide) 또는 N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제1항에 있어서, 상기 (d)단계 전에 (d')전극과 셀을 황산과 과산화수소의 혼합액으로 세척하는 단계; 및 (d'')비수계 용매를 80~120℃에서 20~30시간동안 건조하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제1항에 있어서, 상기 (e)단계 이 후에 비활성 기체 분위기 하에 800~900℃에서 30~90분간 열처리하는 단계를 더 포함하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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제10항에 있어서, 상기 비활성 기체는 질소, 헬륨, 아르곤, 네온 및 제논으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 원소 형태 실리콘의 회수방법
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