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열원으로부터 멀어지는 방향인 방열 방향으로 그래핀(graphene) 함유 층 또는 구리(Cu) 함유 층의 상단면에 산화아연(ZnO)구조체 함유 층 및 열분산층인 알루미늄(Al)층이 차례대로 적층된 형태이며, 상기 그래핀 함유 하단면에는 구리 함유 층이 교대로 적층되어 있고, 구리 함유 층의 하단면에는 그래핀 함유 층이 교대로 적층되어 있으며, 최하단에는 구리 함유 층이 형성되어 있고,상기 산화아연 구조체 함유층에 함유된 산화아연 구조체는 나노벽 구조체이며,상기 구리 함유 층은 평균두께 0
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제2항에 있어서, 열원으로부터 멀어지는 방향인 방열 방향으로 구리 함유 층, 그래핀 함유 층, 산화아연 구조체 함유 층 및 알루미늄 층 순으로 적층된 구조;구리 함유 층, 그래핀 함유 층, 구리 함유층, 산화아연 구조체 함유 층 및 알루미늄 층 순으로 적층된 구조; 또는구리 함유 층, 그래핀 함유 층, 구리 함유층, 그래핀 함유 층, 산화아연 구조체 함유 층 및 알루미늄 층 순으로 적층된 구조; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체
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제2항에 있어서, 상기 그래핀 함유 층은 그래핀 0
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제6항에 있어서, 상기 그래핀 함유 층은 그래핀 0
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제2항에 있어서, 상기 산화아연 나노구조체 함유 층은 상기 산화아연 나노구조체 0
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제2항에 있어서, 상기 산화아연 나노구조체 함유 층은 상기 산화아연 나노구조체 0
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제2항, 제4항, 제6항 내지 제7항 및 제9항 내지 10항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 방열체는필름(film) 또는 시트(sheet) 형태인 것을 특징으로 하는 방열체
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제12항의 방열체를 포함하는 LED 소자
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제13항에 있어서, 상기 LED 소자는 알루미늄 기판과 히트싱크 사이에 상기 방열체를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 LED 소자
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구리 박막의 일면에 그래핀 함유 층, 산화아연 구조체 함유 층 및 알루미늄 층 순으로 차례대로 적층시키거나,구리 박막의 일면에 그래핀 함유 층, 구리 박막, 산화아연 구조체 함유 층 및 알루미늄 층 순으로 차례대로 적층시키거나, 또는구리 박막의 일면에 그래핀 함유 층, 구리 박막, 그래핀 함유 층, 산화아연 구조체 함유 층 및 알루미늄 층 순으로 차례대로 적층시키는 공정을 포함하며,상기 산화아연 구조체 함유 층에 함유된 산화아연 구조체는 ZnO 시드(seeds)를 제조하는 단계; 및 상기 ZnO 시드를 수열합성시켜 ZnO 나노구조체로 성장시키는 단계;를 포함하는 공정을 수행하여 제조하며,상기 ZnO 시드는 초산 아연(zinc acetate dehydrate, Zn(CH3COO)22H2O)및 알코올을 혼합한 혼합물을 320℃ ~ 380℃로 가열하는 단계; 기질(substrate)에 상기 혼합물을 디핑(dipping)시키면서 스핀코팅시키는 단계; 세척 및 건조시키는 단계;를 포함하는 공정을 수행하여 제조한 것을 특징으로 하는 방열체의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 ZnO 나노구조체로 성장시키는 단계는 탈이온수에 ZnO 나노구조체 성장 유도체 및 질산아연 헥사수화물(ZNH, Zincnitrate hexahydrate)를 용해시킨 용해액을 제조하는 단계; 상기 용해액을 320℃ ~ 380℃로 가열하는 단계; 및 90℃ ~ 100℃ 분위기 하에서, 30분 ~ 90분간 ZnO 나노구조체를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 그래핀 함유 층에 함유된 그래핀은 950℃ ~ 1,100℃에서 구리 촉매층을 메탄 및 수소의 혼합가스와 반응시켜 탄소가 상기 구리 촉매층에 흡착시키는 단계; 냉각을 통한 구리 촉매층 표면에 탄소를 결정화켜서 그래핀 결정구조를 형성시키는 단계; 및 형성된 그래핀 결정구조로부터 촉매층을 제거 및 분리시키는 단계;를 포함하며,상기 그래핀 결정구조를 형성시키는 단계는 형성된 그래핀 결정구조를 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate)로 코팅시키는 단계; 및 상기 PMMA로 코팅된 그래핀 결정구조를 니켈 에천트(Ni etchant) 위로 옮기는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체의 제조방법
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