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기판 상에 반응 전구체를 포함하는 반응 가스를 주입하여 판상 구조인 나노 월들(nano-wall)의 집합체인 나노 구조체를 형성하는 것을 포함하고,상기 반응 가스는 산소(O2)를 포함하고, 상기 나노 구조체는 상기 기판과 접촉하여 직접 형성되고,상기 반응 전구체는 트리메틸갈륨(Ga(CH3)3)인 질화물 반도체 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 트리메틸갈륨(Ga(CH3)3)은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 트리메틸갈륨(Ga(CH3)3)은 질소, 수소, 또는 아르곤을 운반 기체로 이용하여 주입되는 질화물 반도체 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반응 가스는 암모니아(NH3)를 더 포함하는 질화물 반도체 나노 구조체의 형성 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 반응 전구체는 상기 산소와 반응하여 갈륨 산화물을 형성하고, 상기 갈륨 산화물은 상기 암모니아와 반응하여 질화 갈륨을 형성하는 질화물 반도체 나노 구조체의 형성 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 갈륨 산화물은 상기 기판 직접 접촉하여 형성되는 질화물 반도체 나노 구조체의 형성 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 갈륨 산화물은 Ga2O3인 질화물 반도체 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산소는 10 내지 100sccm 으로 주입되는 질화물 반도체 나노 구조체의 형성 방법
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기판 상에 반응 전구체를 포함하는 반응 가스를 주입하여 판상 구조인 나노 월들(nano-wall)의 집합체인 나노 구조체를 형성하는 것을 포함하고,상기 반응 가스는 산소(O2)를 포함하고, 상기 나노 구조체는 상기 기판과 접촉하여 직접 형성되고,상기 나노 구조체는 10-5 내지 760 mmHg의 압력에서 형성되는 질화물 반도체 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 400 내지 1200℃ 에서 형성되는 나노 구조체의 형성 방법
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기판 상에 직접 접촉하여 형성된 판상 구조인 나노 월들(nano-walls)의 집합체인 나노 구조체를 포함하되,상기 나노 구조체는 상호 분리된 복수의 나노 구조체들을 포함하고, 상기 복수의 나노 구조체들 각각은 구(sphere) 형상을 갖는 질화물 반도체 나노 구조체
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제 12 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 나노 구조체는 상기 실리콘 기판의 (111) 면 상에 제공되는 질화물 반도체 나노 구조체
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제 12 항에 있어서, 상기 나노 구조체와 상기 기판 사이에 씨드(seed)가 제공되지 않는 질화물 반도체 나노 구조체
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