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광 소자; 및상기 광 소자 상의 굴절률 조절층을 포함하고,상기 굴절률 조절층은 나노 구조체들을 포함하고,상기 나노 구조체들 각각은 하부와 상부의 굴절률이 다른 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 굴절률 조절층은 상기 나노 구조체들 사이를 채우는 매립 물질을 더 포함하는 반도체 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 매립 물질은 가스 상태인 반도체 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 매립 물질은 고상 절연층인 반도체 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 굴절률 조절층의 굴절률은 하기 수학식에 의하여 결정되는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 굴절률 조절층의 굴절률은 상기 광 소자의 굴절률보다 작고 공기의 굴절률보다 큰 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체들 상부의 굴절률은 상기 나노 구조체들 하부의 굴절률보다 작은 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체들 상부의 단면적은 상기 나노 구조체들 하부의 단면적과 다른 반도체 소자
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기판; 상기 기판 상에 차례로 적층된 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층;상기 제 1 반도체층과 상기 제 2 반도체층 사이의 활성층; 및 상기 제 2 반도체층 상에 제공되고 나노 구조체들을 포함하는 굴절률 조절층을 포함하고,상기 나노 구조체들 하부의 굴절률은 상기 나노 구조체들 상부의 굴절률보다 큰 발광 다이오드
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제 9 항에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 나노 구조체들 사이를 채우는 매립 물질을 더 포함하는 발광 다이오드
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제 10 항에 있어서, 상기 매립 물질은 가스 상태인 발광 다이오드
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제 10 항에 있어서, 상기 매립 물질은 고상 절연층인 발광 다이오드
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제 10 항에 있어서, 상기 굴절률 조절층의 굴절률은 하기 수학식에 의하여 결정되는 발광 다이오드
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제 9 항에 있어서,상기 나노 구조체들 상부의 단면적은 상기 나노 구조체들 하부의 단면적 보다 큰 발광 다이오드
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제 9 항에 있어서,상기 나노 구조체들은 산화 아연(ZnxO1-x(0003c#x003c#1))을 포함하는 발광 다이오드
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 반도체층과 상기 굴절률 조절층 사이에 투명 전극층을 더 포함하고,상기 굴절률 조절층의 굴절률은 상기 광 소자의 굴절률보다 작은 발광 다이오드
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기판 상에 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층, 및 투명 전극층을 차례로 형성하는 것;상기 투명 전극층 상에 나노 구조체들을 형성하는 것; 및상기 나노 구조체들 사이에 매립 물질을 형성하는 것을 포함하고,상기 나노 구조체들의 하부와 상기 나노 구조체들의 상부는 동일 물질로 형성되고,상기 나노 구조체들의 하부는 상기 나노 구조체들의 상부보다 굴절률이 큰 발광 다이오드의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 나노 구조체들의 하부는 상기 나노 구조체들의 상부보다 밀도가 크도록 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 나노 구조체들을 형성하는 것은:상기 투명 전극층 상에 금속 촉매층을 형성하는 것;상기 금속 촉매층을 열처리하여 금속 아일랜드들을 형성하는 것; 및상기 금속 아일랜드들을 씨드로 상기 나노 구조체들을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 나노 구조체들을 덮는 캐핑층을 형성하는 것을 더 포함하고,상기 매립 물질은 상기 투명 전극층의 상면과 상기 캐핑층의 하면에 의하여 정의되는 영역 내의 가스 상태의 물질인 발광 다이오드의 제조 방법
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