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챔버 내에 기판을 준비하는 단계;
상기 챔버 내에 산화아연(ZnO)에 산화알루미늄(Al2O3)이 포함된 AZO를 준비하는 단계;
상기 챔버 내에 산화인듐(In2O3)에 산화주석(SnO2)이 포함된 ITO를 준비하는 단계; 및
상기 챔버 내에 준비된 상기 AZO 및 상기 ITO를 포함하는 재료에 전압을 공급하여 상기 기판 상에 IAZTO전극을 형성하는 단계를 포함하는 금속산화물전극의 제조방법
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2
제1항에 있어서,
상기 산화아연(ZnO)은 상기 산화알루미늄(Al2O3)을 2 ~ 7% 포함하고,
상기 산화인듐(In2O3)은 상기 산화주석(SnO2)을 5 ~ 15% 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물전극의 제조방법
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3
제1항에 있어서,
상기 챔버 내의 압력은 3mTorr이고, 상기 챔버 내에 주입된 아르곤 가스의 유량은 15sccm이며, 상기 기판과 상기 재료 간의 거리는 100mm인 것을 특징으로 하는 금속산화물전극의 제조방법
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4
제1항에 있어서,
상기 AZO에 공급되는 전압은 직류 파워 0 ~ 100W이고,
상기 ITO에 공급되는 전압은 직류 파워 100W 인 것을 특징으로 하는 금속산화물전극의 제조방법
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5
제1항에 있어서,
상기 IAZTO전극의 고유 저항은 4
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6
제1항에 있어서,
상기 IAZTO전극의 일함수는,
5
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7
기판; 및
상기 기판 상에 위치하는 제1전극과 제2전극 사이에 형성된 유기 발광층을 포함하되,
상기 제1전극은 IAZTO(AZO + ITO)로 이루어지며,
상기 AZO는 산화아연(ZnO)에 산화알루미늄(Al2O3)이 포함되고,
상기 ITO는 산화인듐(In2O3)에 산화주석(SnO2)이 포함된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
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8
제7항에 있어서,
상기 산화아연(ZnO)은 상기 산화알루미늄(Al2O3)을 2 ~ 7% 포함하고,
상기 산화인듐(In2O3)은 상기 산화주석(SnO2)을 5 ~ 15% 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
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9
제7항에 있어서,
상기 제1전극의 일함수는,
5
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10
제7항에 있어서,
상기 기판 상에 위치하는 트랜지스터를 더 포함하며,
상기 제1전극 또는 상기 제2전극은 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
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