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(a) 징크 아세테이트(Zinc Acetate) 분말을 상압 및 120℃ 이상의 온도에서 희석 용액에 희석시켜 징크 아세테이트 희석액을 시드(seed)로서 제조하는 단계;(b) 징크 니트레이트(Zinc Nitrate) 분말을 120℃ 이상의 온도에서 증류수에 희석시켜 징크 니트레이트 용액을 제조하는 단계; 및(c) 상기 (a)와 (b)에서 각각 제조한 용액을 혼합시킴으로써 산화 아연 나노로드 및 나노월을 생성시키는 단계를 포함하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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제 1 항에 있어서,(d) 상기 (c)에서 제조한 혼합 용액을 일정 시간 방치함으로써 산화아연 나노로드 및 나로월을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 (a) 단계에서 징크 아세테이트 분말을 희석시키기 위한 희석 용액은 증류수, 에탄올, 메탄올, 에틴, 메틴 및 아세톤으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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삭제
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 징크 니트레이트는 OH 또는 H2O가 결합된 징크 니트레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 징크 니트레이트 분말을 희석시킬 때, 징크 니트레이트 분말의 활성을 증가시키기 위하여 계면 활성제를 함께 첨가하여 희석시키는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 계면 활성제는 징크 니트레이트 분말과 화학 반응하여 이온을 쉽게 형성시키는 것으로서, 헥사메틸렌테트라민 및 우레아를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 (c) 단계에서, (a)와 (b)에서 각각 제조한 용액을 혼합시킬 때의 온도는 상온 이상인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 온도는 90℃ 인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 (c) 단계 전에, (a) 단계와 (b) 단계에서 제조된 용액을 0℃ ~ 400℃의 온도에서 5분 ~ 120분 시간 동안 방치하여 활성화시키는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 온도는 25℃ ~ 200℃ 인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 및 나노월의 제조방법
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