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리튬과 가역적으로 반응하여 화합물을 형성할 수 있는 무기 미립자를 포함하는 코어물질; 및상기 코어물질 표면에 형성되는 표면처리층을 포함하며,상기 표면처리층은 103 S/cm 이상의 전자 전도도를 갖는 금속을 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 금속은 104 내지 106 S/cm의 전자 전도도를 갖는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 금속은 Sn, Si, Ti, Ge, Pb, Bi, Sb, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 표면처리층은 2 내지 20nm의 두께를 갖는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 리튬과 가역적으로 반응하여 화합물을 형성할 수 있는 무기 미립자는 바나듐 산화물, 리튬 바나듐 산화물, SiOx(0 < x < 2), TiO2, SnO2, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 리튬과 가역적으로 반응하여 화합물을 형성할 수 있는 무기 미립자는 아나타제(anatase)형의 TiO2인 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 코어물질은 나노 튜브(nanotube), 나노 로드(nanorod), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 형태를 갖는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 코어물질은 장축에 대한 단축의 비를 종횡비라고 할 때 5 내지 10000의 종횡비를 갖는 것인 리튬 이차 전지용 음극 활물질
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리튬과 가역적으로 반응하여 화합물을 형성할 수 있는 무기미립자를 함유하는 제1용액을 제조하는 단계;103 S/cm 이상의 전자 전도도를 갖는 금속의 원료 물질을 함유하는 제2용액을 제조하는 단계;상기 제1용액 및 제2용액을 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; 및상기 혼합용액에 환원제를 첨가하여 무기미립자에 표면처리층을 형성하는 단계를 포함하는 리튬 이차 전지용 음극활물질의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 리튬과 가역적으로 반응하여 화합물을 형성할 수 있는 무기 미립자는 바나듐 산화물, 리튬 바나듐 산화물, SiOx(0 < x < 2), TiO2, SnO2, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 리튬 이차 전지용 음극활물질의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 리튬과 가역적으로 반응하여 화합물을 형성할 수 있는 무기 미립자는 아나타제(anatase)형의 TiO2인 것인 리튬 이차 전지용 음극활물질의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 금속원료물질은 Sn, Si, Ti, Ge, Pb, Bi, Sb, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 염화물, 수산화물, 옥시수산화물, 질산염, 탄산염, 초산염, 옥살산염, 시트르산염, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 리튬 이차 전지용 음극활물질의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제2용액은 금속의 원료물질을 0
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제9항에 있어서,상기 제1용액과 제2용액은 무기미립자와 금속이 0
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제9항에 있어서,상기 환원제는 NaBH4, 히드라진, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 리튬 이차 전지용 음극활물질의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 환원제는 금속원료물질 1몰에 대하여 0
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양극 활물질을 포함하는 양극, 음극 활물질을 포함하는 음극, 및 이들 사이에 존재하는 전해질을 포함하고, 상기 음극 활물질은 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 음극 활물질인 것인 리튬 이차 전지
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