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전도성 비수계 용매에 전해법을 이용하여 양극으로부터 마그네슘을 용해하는 단계; 및 음극으로 직접 환원시키는 단계를 포함하는 마그네슘의 전해정련방법으로서, 상기 양극은 불순물 함유 마그네슘 또는 마그네슘 합금 스크랩이고, 상기 전해법에서 채용하는 전해액은 비수계 용매인 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전도성 비수계 용매가 [EMIM]OTF, [BMIM]BF4 및 THF로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 것으로서 마그네슘염을 포함하는 것인 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 2에 있어서, 상기 마그네슘염이 Mg(CF3S03)2 및 EtMgBr로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전해법은 상기 용매의 비등점 이하의 온도인 20 ℃ 이상 120 ℃ 이하에서 전해반응을 행하는 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전해법은 셀 전압을 1V 이상 내지 3V 미만으로 조절함으로써 음극에서 환원되어 전착되는 마그네슘의 치밀도와 산화환원 속도를 조절하여 전해하는 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전해법은 마그네슘 이온의 손실분에 대해 마그네슘을 함유한 양극으로부터 마그네슘 이온을 보충하는 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전해법은 마그네슘 이온의 손실분에 대해 마그네슘 이온을 외부에서 보충하는 단계를 더 가지는 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 7에 있어서, 상기 마그네슘 이온의 손실분에 대해 마그네슘 이온을 외부에서 보충하는 단계에서의 마그네슘 이온의 공급은 마그네슘 염에 의한 것인 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 2에 있어서, 상기 마그네슘염의 농도를 0
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청구항 1에 있어서, 상기 전해법은 전류밀도를 0 초과 5 mA/cm2 이하로 조절함으로써 음극에서 환원되어 전착되는 마그네슘의 치밀도와 산화환원 속도를 조절하여 전해하는 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전해법은 주파수를 조절함으로써 음극에서 환원되어 전착되는 마그네슘의 치밀도와 산화환원 속도를 조절하여 전해하는 마그네슘의 전해정련방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전해법은 전해시간을 조절함으로써 음극에 환원되어 전착되는 마그네슘의 치밀도와 산화환원 속도를 조절하여 전해하는 마그네슘의 전해정련방법
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