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서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극, 그리고상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 있는 에너지 발생층을 포함하고,상기 에너지 발생층은 광전변환층 및 압전 나노와이어를 포함하고,상기 광전변환층은 p형반도체를 포함하는 유기 물질층을 포함하고, 상기 압전 나노와이어는 n형 반도체 특성을 가지고 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 외부로부터 힘이 가해질 경우 변형되어 전기에너지를 발생하는 전기에너지 발생 장치
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제1항에서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 인가된 응력에 의하여 변형되는 가요성을 가지는 전기 에너지 발생 장치
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제2항에서,상기 제1 전극에 연결된 제1 기판 및 상기 제2 전극에 연결된 제2 기판을 더 포함하고,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 인가된 응력에 의하여 변형되는 가요성을 가지는 전기 에너지 발생 장치
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제1항에서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 투명한 물질로 이루어진 전기 에너지 발생 장치
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제4항에서,상기 제1 전극에 연결된 제1 기판 및 상기 제2 전극에 연결된 제2 기판을 더 포함하고,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 투명한 물질로 이루어진 전기 에너지 발생 장치
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제1항에서,상기 나노와이어는 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄산화물(PZT), 티탄산 바륨(BaTiO3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 또는 탄화실리콘(SiC)을 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제1항에서,상기 광전변환층은 무기 물질층을 더 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제9항에서,상기 무기 물질층은 n형 반도체를 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제1항에서,상기 유기물질층은 압전 특성을 가지는 p형 반도체를 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제11항에서,상기 유기물질층은 압전 특성을 가지는 P3HT(poly(3-hexylthiophene)), 폴리아닐린(Polyaniline), 폴리피롤(Polypyrrole), PPV(Poly(p-phenylene vinylene)), 폴리비닐렌(Polyvinylene), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 폴리타이펜(polythiphene)및 이들의 유도체(derivatives) 중 적어도 하나를 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제1항에서,상기 제2 전극의 표면은 평편하지 않는 전기 에너지 발생 장치
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제1항에서,상기 제1 전극은 복수의 제1 서브 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 복수의 제2 서브 전극을 포함하고,상기 복수의 제1 서브 전극은 서로 이격되어, 제1 방향으로 뻗어 있고,상기 복수의 제2 서브 전극은 서로 이격되어, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 뻗어 있는 전기 에너지 발생 장치
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제1항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하는 연결부, 그리고상기 연결부에 전기적으로 연결되어 있는 저장부를 더 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제1항에서,상기 제1 전극과 상기 나노와이어는 서로 동일한 물질로 이루어진 전기 에너지 발생 장치
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기판 위에 제1 전극을 배치하는 단계,상기 제1 전극 위에 압전 물질로 이루어진 나노와이어를 배치하는 단계,상기 제1 전극 위에 상기 나노와이어와 전기적으로 연결된 광전변환층을 형성하는 단계, 그리고상기 나노와이어와 상기 광전변환층 위에 제2 전극을 배치하는 단계를 포함하고,상기 광전변환층은 p형 반도체를 포함하는 유기 물질층을 포함하고, 상기 나노와이어는 n형 반도체 특성을 가지고 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 외부로부터 힘이 가해질 경우 변형되어 전기에너지를 발생하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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제17항에서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 인가된 응력에 의하여 변형되는 가요성을 가지는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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제18항에서,상기 기판은 인가된 응력에 의하여 변형되는 가요성을 가지는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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제17항에서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 투명한 물질로 이루어진 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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제20항에서,상기 기판은 투명한 물질로 이루어진 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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제17항에서,상기 제1 전극 위에 압전 물질로 이루어진 나노와이어를 배치하는 단계는, 상기 제1 전극 위에 나노물질층을 형성하는 단계,상기 나노물질층으로부터 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극, 그리고상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 있는 에너지 발생층을 포함하고,상기 에너지 발생층은 광전변환층 및 압전층을 포함하고,상기 광전변환층은 p형 반도체를 포함하는 유기 물질층을 포함하고, 상기 압전층은 n형 반도체 특성을 가지고 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 외부로부터 힘이 가해질 경우 변형되어 전기에너지를 발생하는 전기에너지 발생 장치
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제23항에서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 인가된 응력에 의하여 변형되는 가요성을 가지는 전기 에너지 발생 장치
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제24항에서,상기 제1 전극에 연결된 제1 기판 및 상기 제2 전극에 연결된 제2 기판을 더 포함하고,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 인가된 응력에 의하여 변형되는 가요성을 가지는 전기 에너지 발생 장치
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제23항에서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 투명한 물질로 이루어진 전기 에너지 발생 장치
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제26항에서,상기 제1 전극에 연결된 제1 기판 및 상기 제2 전극에 연결된 제2 기판을 더 포함하고,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 투명한 물질로 이루어진 전기 에너지 발생 장치
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제23항에서,상기 압전층은 얇은 막 형태이며, 상기 압전층은 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄산화물(PZT), 티탄산바륨(BaTiO3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 또는 탄화실리콘(SiC)을 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제23항에서,상기 광전변환층은 무기 물질층을 더 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제31항에서,상기 무기 물질층은 n형 반도체를 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제23항에서,상기 유기물질층은 압전 특성을 가지는 p형 반도체를 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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제33항에서,상기 유기물질층은 압전 특성을 가지는 P3HT(poly(3-hexylthiophene)), 폴리아닐린(Polyaniline), 폴리피롤(Polypyrrole), PPV(Poly(p-phenylene vinylene)), 폴리비닐렌(Polyvinylene), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 폴리타이펜(polythiphene)및 이들의 유도체(derivatives) 중 적어도 하나를 포함하는 전기 에너지 발생 장치
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