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제1 전극;
상기 제1 전극과 전기적으로 연결되고 이격된 평판 형상의 제2 전극; 및
상기 제1 전극상에 형성되며, 상기 제2 전극과 이격된 압전 물질로 이루어지고, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 인가된 응력에 의해 상기 제2 전극과 쇼트키 접합을 형성하고 변형되는 나노와이어를 포함하되,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 복수 개이며,
상기 복수 개의 제1 전극은 서로 이격되고 일 방향으로 연장되며,
상기 복수 개의 제2 전극은 서로 이격되고 상기 일 방향에 수직한 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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2
제 1항에 있어서,
상기 나노와이어는 제1 일함수를 갖는 n형 반도체 물질로 이루어지며,
상기 제2 전극은 제2 일함수를 갖는 물질로 이루어지고,
상기 제2 일함수는 상기 제1 일함수 이상인 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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3
제 1항에 있어서,
상기 나노와이어는 제1 일함수를 갖는 p형 반도체 물질로 이루어지며,
상기 제2 전극은 제2 일함수를 갖는 물질로 이루어지고,
상기 제1 일함수는 상기 제2 일함수 이상인 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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4
제 1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상은 인가된 응력에 의해 변형되는 유연 전극이며,
상기 나노와이어는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 거리가 감소함에 따라 휘어지는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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5
제 1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상은 투명 전극인 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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6
제 1항에 있어서,
상기 제1 전극에 연결된 제1 기판 및 상기 제2 전극에 연결된 제2 기판을 더 포함하며,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 하나 이상은 인가된 응력에 의하여 변형되는 유연한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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7
제 6항에 있어서,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 하나 이상은 투명한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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8
삭제
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9
제 1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 탄성 물질을 더 포함하되,
상기 제1 전극으로부터 상기 탄성 물질의 상부면까지의 제1 거리는, 상기 제1 전극으로부터 상기 나노와이어의 상부면까지의 제2 거리 이하인 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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10
제 1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은, 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 팔라듐-금 합금(PdAu), 루테늄(Ru), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 인주석 산화물(ITO), 갈륨아연산화물(GZO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그라펜(graphene)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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11
제 1항에 있어서,
상기 나노와이어는 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄산화물(PZT), 티탄산 바륨(BaTiO3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN) 및 탄화실리콘(SiC)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치
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12
제1 전극층 상에 압전 물질로 이루어진 나노와이어를 형성하는 단계;
상기 제1 전극층과 이격된 평판 형상의 제2 전극층을 준비하는 단계;
상기 나노와이어를 상기 제2 전극층에 근접시키는 단계; 및
상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층을 도선에 의해 연결하는 단계를 포함하되,
상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 각각 복수 개이며,
상기 복수 개의 제1 전극층은 서로 이격되고 일 방향으로 연장되며,
상기 복수 개의 제2 전극층은 서로 이격되고 상기 일 방향에 수직한 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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13
제 12항에 있어서,
상기 나노와이어를 형성하는 단계는,
상기 제1 전극층 상에 나노물질층을 형성하고, 상기 나노물질층을 가열하여 하나 이상의 나노 핵을 형성하는 단계; 및
상기 각 나노 핵으로부터 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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14
제 12항에 있어서,
상기 제2 전극층을 준비하는 단계는, 기판상에 도전 물질을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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15
제 14항에 있어서,
상기 기판상에 도전 물질을 형성하는 단계는, 도금법, 스퍼터링, 전자빔 증착법, 또는 열 증착법에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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16
제 12항에 있어서,
상기 나노와이어를 형성하는 단계 후에,
상기 나노와이어가 형성된 상기 제1 전극층 상에 탄성 물질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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17
제 16항에 있어서,
상기 제1 전극층으로부터 상기 탄성 물질층의 상부면까지의 제1 거리는, 상기 제1 전극층으로부터 상기 나노와이어의 상부면까지의 제2 거리 이하인 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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18
제 16항에 있어서,
상기 탄성 물질층을 형성하는 단계 후에, 상기 탄성 물질층의 일부를 제거하여 상기 나노와이어의 끝을 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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19
제 12항에 있어서,
상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은, 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 팔라듐-금 합금(PdAu), 루테늄(Ru), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 인주석 산화물(ITO), 갈륨아연산화물(GZO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그라펜(graphene)으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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20
제 12항에 있어서,
상기 나노와이어는 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄산화물(PZT), 티탄산 바륨(BaTiO3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN) 및 탄화실리콘(SiC)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 에너지 발생 장치의 제조 방법
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