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미세 물질층 상의 전극 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015198813
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르는 미세 물질층 상의 전극 형성(부착) 방법은 기판 위에 전극을 형성(부착)하고자 하는 미세 물질층을 살포하는 것을 포함한다. 상기 미세 물질층 상에 전극막을 형성하여 상기 미세 물질층을 고정한다. 상기 미세 물질층 상의 전극막중에서 측정 부위를 기준으로 상기 전극막을 집속 이온빔 가공법으로 직접적으로 식각하여 구획된 전극 패턴을 형성(부착)한다. 이상과 같은 본 발명의 미세 물질층 상의 전극 형성 방법은 미세 물질층들을 전극막을 증착하여 고정하고, 선택된 미세 물질층을 기준으로 전극막을 집속 이온 가공법으로 바로 식각하여 전극 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020060012138 (2006.02.08)
출원인 제주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0773925-0000 (2007.10.31)
공개번호/일자 10-2007-0080729 (2007.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20071106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상재 대한민국 부산 남구
2 이성익 대한민국 경북 포항시 남구
3 오상율 대한민국 제주 북제주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤배 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, ****호(서초동, 강남빌딩)(특허법인인터브레인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0093180-67
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0273738-11
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0044554-83
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0233899-50
5 의견서
Written Opinion
2007.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0311796-64
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0311772-79
7 복대리인선임신고서
Report on Appointment of Sub-agent
2007.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0314290-99
8 등록결정서
Decision to grant
2007.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0454585-48
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2007-5160539-25
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0761614-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5043519-53
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 전극을 형성(부착)하고자 하는 미세 물질층을 살포하는 단계;상기 미세 물질층 상에 전극막을 형성하여 상기 미세 물질층을 고정하는 단계; 및 상기 미세 물질층 상의 전극막중에서 측정 부위를 기준으로 상기 전극막을 집속 이온빔 가공법으로 직접적으로 식각하여 구획된 전극 패턴을 형성(부착)하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 물질층 상의 전극 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 전극 패턴은 상기 미세 물질층 상의 전극막을 세로 방향으로 식각하는 단계와, 상기 세로 방향으로 식각된 전극막을 기준으로 가로 방향으로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 물질층 상의 전극 형성 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 미세 물질층은 나노 스케일이나 마이크로 사이즈의 물질층인 것을 특징으로 하는 미세 물질층 상의 전극 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.