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멤리스터 구동 장치

  • 기술번호 : KST2015199070
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판, 상기 기판상에 위치하는 탑 전극(top electrode)과, 상기 탑 전극에 전기적으로 연결되어 상기 탑 전극을 기준으로 소정거리 이격되어 위치하는 제1 및 제2 레지스터(resistor)와, 상기 제1 및 제2 레지스터 사이에 연장되어 전원 공급 기반 스위칭 동작에 따라 저항 상태가 변경되는 저항성 메모리와, 상기 저항성 메모리와 병렬로 연결되어 상기 저항성 메모리의 저항 상태에 따라 제어되는 발광 다이오드(LED, Light Emited Diode)를 포함함을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 27/15 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 33/00 (2010.01)
CPC H05B 33/0815(2013.01) H05B 33/0815(2013.01) H05B 33/0815(2013.01)
출원번호/일자 1020140032848 (2014.03.20)
출원인 제주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1596936-0000 (2016.02.17)
공개번호/일자 10-2015-0109710 (2015.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20160224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.20)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배진호 대한민국 제주특별자치도 제주시 금월길 **-
2 알리 샤우카트 독일 제주특별자치도 제주시 제주대

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 제주특별자치도 제주시 제주
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0269614-85
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0821820-88
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0235291-71
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0550734-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0661674-33
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0772774-71
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0871874-83
8 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0142809-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0927488-19
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0927489-54
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0888059-22
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.01.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0070711-74
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0070722-76
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0083518-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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도전성을 가지는 ITO(Indium Tin Oxide)가 표면에 코팅된 기판과,상기 기판에 실장되어 있고, 상기 ITO에 접촉하고 있으며 일정한 폭을 가진 사각판형의 도전성의 제1 도체와,상기 제1 도체와 소정거리 이격되어 상호 대향하게 위치하는 판형의 도전성을 갖는 제2 도체와, 상기 기판상에 위치하는 탑 전극(top electrode)과,상기 기판에 실장되어 있으며 상기 제2 도체를 실장하고 있으며, 하나의 단자가 상기 제2 도체와 연결되고 다른 단자가 상기 탑 전극에 전기적으로 연결되어 있는 제1 레지스터(resistor)와,상기 탑 전극에 전기적으로 연결되어 있으며 상기 제1 레지스터와 상기 탑 전극을 기준으로 소정거리 이격되어 위치하는 제2 레지스터(resistor)와,상기 기판에 직접 접촉하도록 실장되어 ITO와 하나의 단자가 접촉하고 있으며, 상기 탑전극을 상기 기판의 실장면과 다른 면에 실장하고 있으며 다른 단자가 상기 탑전극과 접촉되어 있으며 상기 제1 및 제2 레지스터 사이에 연장되어 전원 공급 기반 스위칭 동작에 따라 저항 상태가 변경되는 저항성 메모리와,상기 기판에 직접 접촉하도록 실장되어 ITO와 하나의 단자가 접촉하고 있으며, 다른 단자는 상기 제2 레지스터에 연결되어 있고, 상기 저항성 메모리와 병렬로 연결되어 상기 저항성 메모리의 저항 상태에 따라 제어되는 발광 다이오드(LED, Light Emited Diode)를 포함하고,상기 저항성 메모리는,전원에 의해 상기 제1 및 제2 도체에 인가되는 전압의 크기에 따라 기설정된 임계치 보다 저저항 혹은 고저항 상태로 제어됨을 특징으로 하며, 상기 저항성 메모리는,구동 모드에 따라 기설정된 저항성 메모리의 온(on) 동작 전압을 초과하는 전압의 전원이 인가되는 경우 LED 및 제2 레지스터가 직렬로 연계된 라인의 저항보다 보다 낮은 저저항 상태이고,구동 모드에 따라 기설정된 저항성 메모리의 오프(off) 동작 전압 이하의 전압의 전원이 인가되는 경우 LED 및 제2 레지스터가 직렬로 연계된 라인의 저항보다 보다 높은 고저항 상태이고,상기 저항성 메모리의 높은 고저항 상태에 따라 전류의 흐름이 상기 LED 및 제2 레지스터가 직렬로 연계된 라인의 저항의 루프로 인가되어 상기 LED가 발광됨을 특징으로 하며, 상기 발광 다이오드는 동작점 이상에서 그리고 상기 저항성 메모리의 오프 상태에서 발광하는 멤리스터 구동 장치
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제1항에 있어서, 상기 저항성 메모리는,온(on) 혹은 오프(off) 제어를 위해 인가되는 기설정된 각 동작 전압의 이상 혹은 이하 여부에 따라 구동 모드가 변경되어 구동 모드별 저항이 가변됨을 특징으로 하는 멤리스터 구동 장치
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삭제
4 4
삭제
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삭제
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삭제
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제2항에 있어서, 상기 구동 모드는,저항성 메모리의 기설정된 각 동작 전압 턴온 및 턴오프 상태 이상 및 이하로 각각 전원을 변경하여 공급하는 모드를 포함함을 특징으로 하는 멤리스터 구동 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 제주대학교 지역대학우수과학자지원사업 인쇄전자 기술을 이용한 멤리스터 기반 LED 발광소자의 개발