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실리콘 표면에 피라미드 구조를 형성하기 위한 플라즈마 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015199116
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 등에 사용되는 실리콘 기판의 표면에 피라미드 구조를 형성하기 위한 플라즈마 식각 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마에 의해 활성화된 식각가스를 분사시키는 가스분사구가 형성되어 있는 플라즈마 발생장치와, 플라즈마 발생장치에 고압의 식각가스를 공급해주는 가스 공급장치를 구비하여, 1 Torr 이상의 압력 환경 하에서 고속으로 분사되는 식각가스 입자에 의해 실리콘 기판 표면에 식각 반응을 일으켜 피라미드 구조를 형성함으로써, 고진공 상태를 유지하기 위한 별도의 장치가 필요 없어 식각 장치의 구조를 단순화할 수 있고, 고밀도의 식각가스 입자에 의해 반응 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 식각 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 실리콘 표면에 피라미드 구조를 형성하기 위한 플라즈마 식각 방법은, 식각반응로 내부에 실리콘 기판을 지지하는 홀더와, 일측에 가스분사구가 형성된 플라즈마 발생장치를 구비한 플라즈마 식각장치를 이용하여 실리콘 표면에 피라미드 구조를 형성하는 방법에 있어서, 상기 플라즈마 발생장치에 식각가스를 공급하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 플라즈마에 의해 활성화된 식각가스 입자를 상기 가스분사구를 통해 홀더에 지지되어 있는 실리콘 기판으로 분사시킴으로써, 상기 분사된 식각가스 입자에 의한 식각을 통해 실리콘 기판 표면에 피라미드 구조를 형성하되, 상기 가스분사구를 통해 분사되는 식각가스 입자의 분사 속도는, 상기 플라즈마 발생장치로 공급되는 식각가스의 압력에 대한 제어를 통하여 조절되는 점을 특징으로 한다.실리콘, 피라미드 구조, 건식식각, 플라즈마, 태양전지
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070074671 (2007.07.25)
출원인 제주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0890994-0000 (2009.03.23)
공개번호/일자 10-2009-0011262 (2009.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20090331) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌주 대한민국 제주도 제주시 아
2 플락신, 바딤 유레비치 러시아 제주도 제주시 제주대학로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신운철 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *(삼성동) 우경빌딩*층(가디언국제특허법률사무소)
2 강성균 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0540830-34
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document
2007.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-5070076-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0392162-41
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0676967-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0676968-60
6 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2008.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0725392-11
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0016958-93
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.02.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0005653-64
9 등록결정서
Decision to grant
2009.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0108178-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5043519-53
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번호 청구항
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식각반응로 내부에 실리콘 기판을 지지하는 홀더와, 일측에 가스분사구가 형성된 플라즈마 발생장치를 구비한 플라즈마 식각장치를 이용하여 실리콘 표면에 피라미드 구조를 형성하는 방법에 있어서,상기 플라즈마 발생장치에 식각가스를 공급하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 플라즈마에 의해 활성화된 식각가스 입자를 상기 가스분사구를 통해 홀더에 지지되어 있는 실리콘 기판으로 분사시킴으로써, 상기 분사된 식각가스 입자에 의한 식각을 통해 실리콘 기판 표면에 피라미드 구조를 형성하되,상기 가스분사구를 통해 분사되는 식각가스 입자의 분사 속도는,상기 플라즈마 발생장치로 공급되는 식각가스의 압력에 대한 제어를 통하여 조절되는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면의 플라즈마 식각 방법
2 2
제 1항에 있어서,플라즈마 식각 공정이 수행되는 동안 상기 식각반응로 내의 압력을 1 ~ 1000 Torr로 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면의 플라즈마 식각 방법
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제 2항에 있어서,상기 식각반응로 내의 압력은,상기 플라즈마 발생장치로 공급되는 식각가스의 유량과 상기 식각반응로 외부로 배기되는 유량에 대한 제어를 통하여 조절되는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면의 플라즈마 식각 방법
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제 1항에 있어서,상기 가스분사구를 통해 분사되는 식각 가스 입자의 분사 속도를 30 cm/sec 이상으로 유지시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면의 플라즈마 식각 방법
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 기판을 지지하는 홀더 표면의 온도를 0 ~ 300 ℃로 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면의 플라즈마 식각 방법
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