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사파이어(Al2O3) 기판위에 GaN 박막을 증착시키는 박막증착단계와; 상기 사파이어 기판위에 형성된 GaN 박막을 분리시키고 분리된 GaN 박막을 실리콘, 갈륨비소(GaAs) 중 하나의 기판 상면에 본딩시키는 기판 접합단계와; 상기 GaN 박막 상면에 층상형 구조타입을 가지는 비스무스(Bi)-란타늄(La)-티타늄(Ti) 산화물((BixLa1-xTi3O12, BLT)계 강유전체 박막을 펄스레이저 증착법, 졸겔 법 중 하나의 방법으로 형성시키는 BLT 박막형성단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 강유전체와 지에이엔 반도체막의 이종접합구조 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 박막증착단계는 GaN 박막에 불순물을 도핑시킴에 의해 n-타입 또는 p-타입 도핑(doping)준위를 증가시킴을 특징으로 하는 강유전체와 지에이엔 반도체막의 이종접합구조 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 박막증착단계는 상기 GaN 박막 상면에 2차원 전자기체층을 형성시킴을 특징으로 하는 강유전체와 지에이엔 반도체막의 이종접합구조 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 BLT 박막 형성단계는, 비스무스(Bi)-란타늄(La)-티타늄(Ti) 산화물(BLT)을 형성함에 있어서, X=0
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제3항에 있어서, 상기 BLT 박막형성단계는, 비스무스 하이드록사이드(Bi-hydroxide), La 2-메톡시에톡사이드, 티타늄 아이소프로폭사이드(Ti-isopropoxide)를 소스로 사용하고 2-메톡시 에탄올(2-methoxyethanol, CH3OCH2CH2OH)에 녹여 선구물질을 제조하는 제1단계와; 상기 선구물질을 GaN 기판에 스핀코팅 시키는 제2단계와; 상기 스핀코팅된 선구물질을 건조시키는 제3단계; 그리고, 최종결정화를 위하여 어닐링을 실시하는 제4단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 강유전체와 지에이엔 반도체막의 이종접합구조 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 전자기체층 상면에 차례로 버퍼층, 전극층 중 하나이상이 더 적층형성됨을 특징으로 하는 강유전체와 지에이엔 반도체막의 이종접합구조 제조방법
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실리콘, 갈륨비소(GaAs) 중 하나의 기판으로 형성된 베이스층과; 사파이어(Al2O3) 기판위에 GaN 박막을 증착시킨 후, 상기 사파이어 기판위에 형성된 GaN 박막을 분리시켜 상기 베이스층 상면에 본딩시킴에 의해 형성된 GaN 박막층; 그리고, 층상형 구조타입을 가지는 비스무스(Bi)-란타늄(La)-티타늄(Ti) 산화물(BLT)계 강유전체 박막을 펄스레이저 증착법, 졸-겔 법 중 하나의 방법으로 하여 상기 GaN 박막층 상면에 박막형태로 형성시킨 BLT 박막층;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 강유전체와 지에이엔 반도체막의 이종접합구조
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제7항에 있어서, 상기 GaN 박막층에는 불순물을 도핑시킴에 의해 n-타입 또는 p-타입 도핑(doping)준위를 증가시키고, GaN 박막층 상면에는 2차원 전자기체층을 형성시킴을 특징으로 하는 강유전체와 지에이엔 반도체막의 이종접합구조
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제8항에 있어서, 상기 BLT 박막층은, 비스무스(Bi)-란타늄(La)-티타늄(Ti) 산화물(BLT)을 형성함에 있어서, X=0
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제8항에 있어서, 상기 BLT 박막층은, 비스무스 하이드록사이드(Bi-hydroxide), La 2-메톡시에톡사이드, 티타늄 아이소프로폭사이드(Ti-isopropoxide)를 소스로 사용하고 2-메톡시 에탄올(2-methoxyethanol, CH3OCH2CH2OH)에 녹여 선구물질을 제조하여 GaN 기판에 스핀코팅시켜 건조시킨 후, 어닐링을 실시하여 형성됨을 특징으로 하는 강유전체와 지에이엔 반도체막의 이종접합구조
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제7항에 있어서, 상기 전자기체층 상면에 차례로 버퍼층, 전극층 중 하나이상이 더 적층형성됨을 특징으로 하는 강유전체와 지에이엔 반도체막의 이종접합구조
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제1항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 BLT 박막이 게이트 유전체로 적용됨을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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