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양이온화 된 페리틴 입자를 금속/실리콘 기판에 형성하는방법

  • 기술번호 : KST2015199224
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘(Si) 기판을 준비하는 단계; 상기 실리콘(Si) 기판 상부를 습식 에칭 용액을 이용하여 에칭하는 단계; 상기 에칭된 실리콘 기판 상부에 열 증착방법을 이용하여 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상부에 스핀 코팅법을 이용하여 양이온화 된 페리틴 단백질 입자를 소정의 두께로 흡착하는 단계;를 포함하는 양이온화 된 페리틴 입자를 금속/실리콘 기판에 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명에 의하면, 전하저장 및 전자의 이동 능력이 뛰어나 바이오 전지로 이용 가능한 페리틴 단백질을 Si 기판 위에 일정한 두께로 증착할 수 있는 방법을 제공하고 바이오 전지의 실용화의 가능성을 증가시킬 수 있다. 실리콘, 습식 에칭, 페리틴, 양이온화, 바이오 전지
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/203 (2011.01) H01L 21/3063 (2011.01)
CPC H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01)
출원번호/일자 1020070109852 (2007.10.30)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-0910032-0000 (2009.07.23)
공개번호/일자 10-2009-0044006 (2009.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20090730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고의관 대한민국 서울 노원구
2 정동영 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0780859-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.05.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0035023-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0632301-65
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0094830-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0094822-53
7 등록결정서
Decision to grant
2009.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0255493-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.21 수리 (Accepted) 4-1-2011-5212108-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘(Si) 기판을 준비하는 단계; 상기 실리콘(Si) 기판 상부를 습식 에칭 용액을 이용하여 에칭하는 단계; 상기 에칭된 실리콘 기판 상부에 열 증착방법을 이용하여 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상부에 스핀 코팅법을 이용하여 양이온화 된 페리틴 단백질 입자를 흡착하는 단계;를 포함하는 양이온화 된 페리틴 입자를 금속/실리콘 기판에 형성하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 습식 에칭 용액은 HF, HCl, H2O, H2O2, NaOH 및 KOH로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 양이온화 된 페리틴 입자를 금속/실리콘 기판에 형성하는 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 금속층은 Au, Ag, Ti, 및 Al 중에서 선택된 어느 하나의 성분인 것을 특징으로 하는 양이온화 된 페리틴 입자를 금속/실리콘 기판에 형성하는 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 페리틴 단백질 층은 금속 나노 입자를 내부에 함유한 것을 특징으로 하는 양이온화 된 페리틴 입자를 금속/실리콘 기판에 형성하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 에칭하는 단계에서 에칭시간은 2 내지 4시간이고, 상기 금속층의 두께는 10 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 양이온화 된 페리틴 입자를 금속/실리콘 기판에 형성하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.