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전압이 인가되는 평판형의 파워 전극; 및
상기 파워 전극의 하부에 파워 전극과 대향하도록 설치되어 하부 플라즈마 발생공간을 형성하고, 플라즈마와 플라즈마로 전환되지 아니한 처리가스가 유출되는 유출구가 다수 개 형성된 평판형의 하부 접지 전극;을 구비하고,
상기 하부 접지 전극의 두께가 3~50mm인 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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전압이 인가되는 평판형의 파워 전극; 및
상기 파워 전극의 하부에 파워 전극과 대향하도록 설치되어 하부 플라즈마 발생공간을 형성하고, 플라즈마와 플라즈마로 전환되지 아니한 처리가스가 유출되는 유출구가 다수 개 형성된 평판형의 하부 접지 전극;을 구비하고,
상기 하부 접지 전극의 두께가 7~50mm인 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 파워 전극과 하부 접지 전극에는 각 전극을 냉각시키는 냉각수단이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 파워 전극과 하부 접지 전극에는 각 전극을 냉각시키는 냉각수단이 마련되어 있으며, 상기 하부 접지 전극에 마련되는 냉각수단은 상기 하부 접지 전극의 내부에 냉각 유체가 흐르는 유로가 형성됨으로써 마련되는 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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5
제1항 또는 제2항에 있어서,
서로 대향하는 상기 파워 전극과 하부 접지 전극은, 각 전극을 이루는 도전체가 노출되어 대향하지 않도록, 상기 서로 대향하는 파워 전극과 하부 접지 전극의 적어도 일방의 대향하는 면에는 절연체층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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6
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 파워 전극의 상부에 파워 전극과 대향하도록 설치되어 상부 플라즈마 발생공간을 형성하고, 접지되는 상부 접지 전극;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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7
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 파워 전극과 하부 접지 전극의 평면 형상이 다각형 또는 원형인 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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8
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 파워 전극과 하부 접지 전극의 평면 형상이 부채꼴 형상인 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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9
제8항에 있어서,
상기 표면처리 장치에 의해 표면처리되는 피처리물은 그 평면 형상이 기본적으로 원형이고,
상기 피처리물의 중심을 상기 파워 전극과 하부 접지 전극의 부채꼴 형상의 꼭지점에 정렬시킨 상태에서, 이 꼭지점을 중심으로 상기 피처리물과 상기 파워 전극 및 하부 접지 전극을 상대적으로 회전시키는 회전수단을 구비하는 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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10
제1항 또는 제2항에 있어서,
그 내부에 상기 파워 전극과 하부 접지 전극 및 피처리물을 수용하는 챔버를 구비하고,
상기 챔버에는, 상기 처리가스가 유입되는 유입구와, 표면처리 후의 폐가스가 배출되는 배기구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 평행 평판형 대기압 플라즈마 표면처리 장치
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