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상부에는 탄소원자빔을 발생하기 위한 탄소원자빔 발생원과 하부에는 챔버의 내부로 기판을 탑재하고, 상기 탄소원자빔발생원과 기판의 사이에는 전자빔을 발생시키는 전자빔발생원과 상하부에 자기장을 발생하는 코일을 배치한 여기셀을 구비하여, 전자빔발생원으로부터 전자빔이 발생하면, 코일에 의해 자기장이 발생하여 자기장에 의해 전자빔은 전자빔발생원으로부터 전방위로 이동하여 기판에 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 있어서,
다이아몬드구조로 반응할 수 있는 운동에너지를 갖는 탄소원자빔을 방출하는 단계;
상기 방출된 탄소원자빔을 전자빔과 충돌시켜 기판표면에 닿기 직전에 탄소원자의 전자배열구조가 sp2에서 sp3로 여기상태의 탄소원자구조로 변환하는 단계; 및
상기 변환된 여기상태의 탄소원자를 상기 기판상에 증착시키는 단계를 포함하고,
상기 탄소원자빔은 10 내지 30 eV의 운동에너지를 갖고,
상기 전자빔은 5 내지 10 eV의 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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제 1항에 있어서,
상기 변환하는 단계에는
발생된 전자빔을 자기장에 의해 이동 및 구속시켜 상기 탄소원자빔과의 충돌을 야기시키는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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제 1항에 있어서,
상기 증착하는 단계는
상온에서 500℃ 이하의 저온에서만 견디는 유리와 플라스틱을 포함하는 기판 사용이 가능한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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상부에는 탄소원자빔을 발생하기 위한 탄소원자빔 발생원과 하부에는 챔버의 내부로 기판을 탑재하고, 상기 탄소원자빔발생원과 기판의 사이에는 광을 발생하는 광원을 구비하여, 광원으로부터 광이 기판쪽으로 출사되어 기판에 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 있어서,
다이아몬드구조로 반응할 수 있는 운동에너지를 갖는 탄소원자빔을 방출하는 단계;
상기 방출된 탄소원자빔과 광을 기판근처에서 충돌시켜 탄소원자의 전자배열구조가 sp2에서 sp3로 광여기상태의 탄소원자구조로 변환하는 단계; 및
상기 변환과 동시에 광여기상태의 탄소원자가 상기 기판상에 증착되는 단계를 포함하고,
상기 탄소원자빔은 10 내지 30 eV의 운동에너지를 갖고,
상기 광은 8 내지 10 eV의 광에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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제 6항에 있어서,
상기 증착하는 단계는
상온에서 500℃ 이하의 저온에서만 견디는 유리와 플라스틱을 포함하는 기판 사용이 가능한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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상부에는 탄소원자빔을 발생하기 위한 탄소원자빔 발생원과 하부에는 챔버의 내부로 기판을 탑재하고, 상기 탄소원자빔발생원과 기판의 사이에는 전자빔을 발생시키는 전자빔발생원과 광을 출사하는 광원을 구비하여, 전자빔발생원으로부터 전자빔과 광원을 발생시켜 기판에 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 있어서,
다이아몬드구조로 반응할 수 있는 운동에너지를 갖는 탄소원자빔을 방출하는 단계;
상기 방출된 탄소원자빔의 일부는 전자빔과 충돌시켜 여기상태의 탄소원자구조인 sp2에서 sp3로 변환하며, 상기 방출된 탄소원자빔 중 나머지는 광과 기판근처에서 충돌시켜 광여기상태의 탄소원자구조인 sp2에서 sp3로 변환하는 단계; 및
상기 변환된 여기상태의 탄소원자를 상기 기판상에 증착시키는 단계를 포함하고,
상기 탄소원자빔은
10 내지 30 eV의 운동에너지를 갖고,
상기 전자빔은
5 내지 10 eV의 에너지를 갖고,
상기 광은
8 내지 10 eV의 광에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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제 10항에 있어서,
상기 변환하는 단계에는
발생된 전자빔을 자기장에 의해 이동 및 구속시켜 상기 탄소원자빔과의 충돌을 야기시키는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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제 10항에 있어서,
상기 증착시키는 단계는
상온에서 500℃ 이하의 저온에서만 견디는 유리와 플라스틱을 포함하는 기판 사용이 가능한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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상부에는 탄소원자빔을 발생하기 위한 탄소원자빔 발생원과 하부에는 챔버의 내부로 기판을 탑재하고, 상기 탄소원자빔발생원과 기판의 사이에는 탄소원자의 전자배열변환수단을 구비하여 기판에 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 있어서,
다이아몬드구조로 반응할 수 있는 운동에너지를 갖는 탄소원자빔을 방출하는 단계;
상기 방출된 탄소원자빔이 상기 탄소원자의 전자배열변환수단에 의해 탄소원자의 전자배열구조가 sp2에서 sp3로 여기상태의 탄소원자구조로 변환하는 단계; 및
상기 변환과 동시에 여기상태의 탄소원자가 상기 기판상에 증착되는 단계를 포함하고,
상기 탄소원자빔은
10 내지 30 eV의 운동에너지를 갖고,
상기 탄소원자의 전자배열변환수단에 의해 상기 탄소원자빔에 부여되는 에너지는 5 내지 10 eV 인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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제 16항에 있어서,
상기 증착시키는 단계는
상온에서 500℃ 이하의 저온에서만 견디는 유리와 플라스틱을 포함하는 기판 사용이 가능한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 형성방법
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