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질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015199268
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 생성을 통해 기판 표면으로 질화막을 성장시키기 위한 질소원자를 이용한 질화막 형성장치에 있어서, 플라즈마를 발생시켜 생성된 질소이온을 중성화판을 통해 중성화시켜 질소원자빔을 생성하는 질소원자빔 발생원, 상기 질소원자빔 발생원의 플라즈마 내에 존재하는 하전입자를 제거하고 질소원자빔을 통과시키는 리미터 및 상기 리미터 하측에 연결되어 질화막을 성장시키고자 하는 기판이 놓여지는 기판지지대를 포함하는 챔버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 다양한 반도체 공정에 적용할 수 있고, 고품질의 질화막을 성장시킬 수 있는 효과를 제공한다.질화막, 질소원자, 반도체, 기판, 중성화판
Int. CL H01L 21/318 (2006.01)
CPC C23C 16/34(2013.01) C23C 16/34(2013.01) C23C 16/34(2013.01)
출원번호/일자 1020090080756 (2009.08.28)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1111962-0000 (2012.01.27)
공개번호/일자 10-2010-0045905 (2010.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20120612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080104647   |   2008.10.24
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대철 대한민국 대전광역시 유성구
2 유석재 대한민국 대전광역시 유성구
3 김종식 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 이봉주 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 공인복 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로**길*-**, 대송빌딩 *층(특허법인 대한(서초분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0531456-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0078121-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0115755-24
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0326504-28
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0326503-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.21 수리 (Accepted) 4-1-2011-5212108-42
8 등록결정서
Decision to grant
2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0631971-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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플라즈마 생성을 통해 기판 표면으로 질화막을 성장시키기 위한 질소원자를 이용한 질화막 형성장치에 있어서,플라즈마를 발생시켜 생성된 질소이온을 중성화판을 통해 중성화시켜 질소원자빔을 생성하는 질소원자빔 발생원;상기 질소원자빔 발생원의 플라즈마 내에 존재하는 하전입자를 제거하고 질소원자빔을 통과시키는 리미터; 및상기 리미터 하측에 연결되어 질화막을 성장시키고자 하는 기판이 놓여지는 기판지지대를 포함하는 챔버;를 포함하며,상기 중성화판은, 탄탈룸(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 스테인레스강 또는 이들의 선택적인 합금이고,상기 질소원자빔은 1 내지 100 eV의 에너지를 갖으며,상기 리미터는 홀 또는 슬릿 형태로 설치하여 하전입자를 제거하고, 여기에 자장 또는 전장을 인가하여 플라즈마 내 하전입자의 이동방향을 조절하여 하전입자를 제거하고,상기 기판은 상온 또는 500℃ 이하의 저온을 사용하며,상기 리미터는 플라즈마 이온 및 전자의 통과는 방해하고, 질소원자빔을 선택적으로 통과시키는 것을 특징으로 하는 질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치
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패밀리정보가 없습니다
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