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(a) 마그네트론 스퍼터링을 이용한 박막 증착을 위한 진공조(1) 내부에 위치한 전도성 시료 장착대(7)에 시료(6)로 폴리카보네이트 기판을 장착하는 단계;(b) 고진공용 터보 펌프(13)와 상기 터보 고진공 펌프(13)의 가동을 돕는 저진공 펌프(14)로 상기 진공조(1) 내부의 진공도를 고진공 영역까지 배기하는 단계;(c) 마그네트론 증착원에 장착된 알루미늄과 실리콘 스퍼터링 타겟(3)의 작동을 위하여, 가스유량 조절장치에 의해 비활성화 가스인 아르곤(Ar)과 반응성 가스인 질소(N2)를 상기 진공조(1) 내부로 인입하여, 상기 진공조(1) 내부의 압력을 조절하는 단계;(d) 상기 진공조(1) 내부의 RF안테나(5)에 RF전력을 인가하여, 상기 `(c)`단계에서 인입된 가스의 플라즈마를 형성시키는 단계; 및(e) 상기 `(d)`단계에서 플라즈마 형성 후, 상기 알루미늄 금속 타겟(3)과 실리콘 타겟(3)이 장착된 마그네트론 스퍼터링 증착원에 직류, 또는 펄스직류 전원장치(2)에 의한 펄스직류 전력을 인가하여 박막 증착을 위한 플라즈마를 발생시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리카보네이트 소재의 표면 경도 및 내마모성 향상을 위한 알루미늄-실리콘-질화막 증착 방법
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제 1항에 있어서,상기 (c)단계에서,상기 진공조(1) 내부의 압력은 0
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제 1항에 있어서,상기 (c)단계에서,인입되는 상기 아르곤(Ar)과 질소(N2) 가스의 유량비는 10:1 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 폴리카보네이트 소재의 표면 경도 및 내마모성 향상을 위한 알루미늄-실리콘-질화막 증착 방법
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제 1항에 있어서,상기 (d)단계에서,상기 RF안테나(5)에 인가되는 RF전력은 0 ~ 300 W인 것을 특징으로 하는 폴리카보네이트 소재의 표면 경도 및 내마모성 향상을 위한 알루미늄-실리콘-질화막 증착 방법
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제 1항에 있어서,상기 (e)단계에서,상기 직류 또는 펄스직류의 평균 전력 밀도는 1 W/cm2 ∼ 20 W/cm2인 것을 특징으로 하는 폴리카보네이트 소재의 표면 경도 및 내마모성 향상을 위한 알루미늄-실리콘-질화막 증착 방법
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마그네트론 스퍼터링을 이용한 박막 증착을 위한 진공조(1);상기 마그네트론 스퍼터링의 증착원에 장착된 알루미늄과 실리콘 스퍼터링 타켓(3)에 직류 또는 펄스직류 전력을 인가하기 위한 펄스직류 전원장치(2);상기 증착원에 장착된 상기 스퍼터링 타겟(3)에 의해 발생되는 플라즈마(4);상기 진공조(1) 내부에 인입되어 가스를 플라즈마화 하기 위한 RF 안테나(5);상기 진공조(1) 내부에서 증착되는 시료를 장착하기 위한 전도성 시료 장착대(7);상기 RF 안테나(5)로 전원을 공급하는 RF전원장치(9);상기 진공조(1) 내부의 고전공을 유지하기 위한 고진공용 터보 펌프(13);상기 진공조(1)의 내부의 진공도를 계측하는 진공 게이지(12); 및상기 플라즈마 발생에 이용되는 아르곤(Ar)과 질소(N2)가스의 유량을 조절하는 가스유량 조절부(11);를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리카보네이트 소재의 표면 경도 및 내마모성 향상을 위한 알루미늄-실리콘-질화막 증착 장치
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제 6항에 있어서,상기 진공조(1) 내부의 압력은 0
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제 6항에 있어서,상기 가스유량 조절부(11)가 인입되는 상기 아르곤(Ar)과 질소(N2) 가스의 유량비를 10:1 ~ 1:1로 조절하는 것을 특징으로 하는 폴리카보네이트 소재의 표면 경도 및 내마모성 향상을 위한 알루미늄-실리콘-질화막 증착 장치
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제 6항에 있어서,상기 RF전원장치(9)에서 상기 RF안테나(5)로 인가되는 RF전력은 0 ~ 300 W인 것을 특징으로 하는 폴리카보네이트 소재의 표면 경도 및 내마모성 향상을 위한 알루미늄-실리콘-질화막 증착 장치
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제 6항에 있어서,상기 펄스직류 전원장치(2)가 알루미늄과 실리콘 스퍼터링 타켓(3)에 인가하는 직류 또는 펄스직류의 평균 전력 밀도는 1 W/cm2 ∼ 20 W/cm2인 것을 특징으로 하는 폴리카보네이트 소재의 표면 경도 및 내마모성 향상을 위한 알루미늄-실리콘-질화막 증착 장치
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