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에너지 조절이 가능한 질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015199295
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에너지 조절이 가능한 질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치 및 방법은, 공정가스가 주입되고 플라즈마 생성을 통해 기판 표면으로 질화막을 성장시키기 위한 질소원자를 이용한 질화막 형성장치에 있어서, 플라즈마를 발생시켜 생성된 질소이온을 중성화판을 통해 중성화시켜 질소원자빔을 생성하는 질소원자빔 발생원, 상기 중성화판의 전압을 인가하고 이를 제어하는 전압제어부, 상기 질소원자빔 발생원의 플라즈마 내에 존재하는 하전입자를 제거하고 질소원자빔을 통과시키는 리미터 및 상기 리미터 하측에 연결되어 질화막을 성장시키고자 하는 기판이 놓여지는 기판지지대를 포함하는 챔버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 질소원자빔의 에너지를 자유롭게 조절하여 질화막 내부의 질소원자 깊이 분포를 조절할 수 있고, 저온 저압하에서 고품질의 질화막을 증착시킬 수 있는 이점이 있다.질소원자빔, 에너지, 질화막, 플라즈마, 저온
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01J 37/026(2013.01) H01J 37/026(2013.01) H01J 37/026(2013.01)
출원번호/일자 1020090074847 (2009.08.13)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1121055-0000 (2012.02.21)
공개번호/일자 10-2011-0017270 (2011.02.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종식 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 유석재 대한민국 대전광역시 유성구
3 김대철 대한민국 대전광역시 유성구
4 이봉주 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 공인복 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로**길*-**, 대송빌딩 *층(특허법인 대한(서초분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0495497-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0023071-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0196501-77
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0444615-22
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0444554-35
7 보정요구서
Request for Amendment
2011.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0055090-21
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0473705-13
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0539119-93
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0539118-47
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.21 수리 (Accepted) 4-1-2011-5212108-42
12 등록결정서
Decision to grant
2011.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0683004-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
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번호 청구항
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공정가스가 주입되고 플라즈마 생성을 통해 기판 표면으로 질화막을 성장시키기 위한 질소원자를 이용한 질화막 형성장치에 있어서,플라즈마를 발생시켜 생성된 질소이온을 중성화판을 통해 중성화시켜 질소원자빔을 생성하는 질소원자빔 발생원;상기 중성화판의 전압을 인가하고 이를 제어하는 전압제어부;상기 질소원자빔 발생원의 플라즈마 내에 존재하는 하전입자를 제거하고 질소원자빔을 통과시키는 리미터; 및상기 리미터 하측에 연결되어 질화막을 성장시키고자 하는 기판이 놓여지는 기판지지대를 포함하는 챔버;를 포함하여 구성되며,상기 전압제어부는 -100 내지 +100V 내에서 상기 중성화판으로 전압을 인가하여 질소원자빔의 에너지를 조절하여 1 내지 100 eV의 에너지를 갖도록 하고,상기 중성화판은 탄탈룸(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 스테인레스강 또는 이들의 선택적인 합금으로 구성되며,상기 리미터는 홀 또는 슬릿 형태로 설치하여 하전입자를 제거하고, 홀 또는 슬릿 형태로 설치되어 자장 또는 전장을 인가하여 플라즈마 내 하전입자의 이동방향을 조절하여 하전입자를 제거하고,상기 중성화판으로 전압을 인가하여 질소원자빔 에너지를 제어하는 전압제어부를 통해 질화막 형성 반응에 충분한 에너지를 반응원소에 제공하여 상기 기판을 별도로 가열할 필요 없이 질화막 가능하도록 상기 기판 온도는 0 내지 400도 이하의 저온에서 증착되며,상기 챔버 압력은, 0
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제 1항에 있어서, 상기 공정가스는,N2, NO, N2O, NH, NH3와 같은 질소가 포함된 가스와, Ar, Xe, He, Ne, Kr를 포함하는 플라즈마 밀도를 증가시키기 위한 어느 하나의 가스 또는 조합된 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 에너지 조절이 가능한 질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치
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제 1항에 있어서, 상기 기판은,1 내지 1000 Å의 두께로 질화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 에너지 조절이 가능한 질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치
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제 1항에 있어서, 상기 기판은,실리콘, 갈륨, 게르마늄, 유리, 세라믹 또는 폴리머 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에너지 조절이 가능한 질소원자빔을 이용한 질화막 형성장치
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.