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반도체 또는 산화물 박막 제조를 위한 스파터링증착법 또는 펄스화레이저증착법에 사용되는 금속산화물 타겟을 제조하는 제조방법에 있어서,상기 금속산화물을 조성하는 각 조성물을 적정 크기로 분쇄하여, 소정 조성비율로 혼합시키는 혼합단계와;상기 소정 조성비로 혼합된 시료를 도가니에 수용시키는 수용단계와;상기 도가니를 버너에 의해 가열하여 시료를 용융시키는 용융단계와;상기 용융단계 도중에 상기 도가니를 버너 상부에서 선회시키는 선회단계와;상기 도가니 내에서 완전히 용융된 시료를 성형접시로 이동시키는 이동단계와;상기 성형접시로 이동된 용융된 시료를 냉각시키는 냉각단계와;상기 성형접시 내에서 냉각된 시료를 분리시키는 분리단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 버너는,가스버너인 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 도가니는,알루미나도가니, 백금도가니, 이리듐도가니 중 어느 한가지로 형성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 도가니는,그래파이트도가니인 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 도가니는,글래시카본도가니인 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 버너는,고주파 유도코일에 의해 열을 발생시키는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 도가니는,상기 고주파 유도코일 내부의 중심에 위치되며 그래파이트도가니로 형성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 도가니는,상기 고주파 유도코일 내부의 중심에 위치되며 글래시카본도가니로 형성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 도가니는,상기 고주파 유도코일 내부의 중심에 위치한 그래파이트도가니와;상기 그래파이트도가니의 내부에 설치되고, 상기 그래파이트도가니의 열을 전달받아 발열하며 내부에 상기 시료를 수용하는 알루미나도가니, 백금도가니, 이리듐도가니 중 어느 한 가지가 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 도가니는,상기 고주파 유도코일 내부의 중심에 위치한 글래시카본도가니와;상기 글래시카본도가니의 내부에 설치되고, 상기 글래시카본도가니의 열을 전달받아 발열하며 내부에 상기 시료를 수용하는 알루미나도가니, 백금도가니, 이리듐도가니 중 어느 한 가지가 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법은,상기 이동단계 전에 상기 성형접시를 예열버너로 이동시켜 미리 예열시키는 예열단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타켓의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 선회단계는,상기 도가니와 연결된 결합로드에 의해 상기 도가니가 간접 선회구동되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 이동단계는,상기 결합로드의 가로축회전에 의해 상기 도가니가 상기 성형접시 상부로 기울어짐으로써, 상기 성형접시 내부로 시료가 이동되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 성형접시는,원형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 성형접시는,사각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 냉각단계는,상기 성형접시를 질소 또는 산소가스 분위기 챔버 내부에서 냉각시키는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 글래시 산화물 타겟의 제조방법
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