| 1 |
1
복수 개의 주름관을 포함하며, 상기 복수 개의 주름관을 변형시키는 것에 의하여 일 방향의 길이를 조절할 수 있도록 구성된 가변형 챔버; 상기 가변형 챔버의 길이를 조절하는 것에 의하여 위치가 결정되도록 상기 복수 개의 주름관 사이에 각각 연결되는 하나 이상의 가이드 전극; 및상기 가변형 챔버의 길이를 조절하는 것에 의하여 위치가 결정되도록 상기 가변형 챔버의 한쪽 끝에 연결되는 인출 전극을 포함하되,상기 하나 이상의 가이드 전극은, 제1 홀을 포함하는 제1 전극; 및상기 제1 홀 내에 위치하며 제2 홀을 포함하는 제2 전극을 포함하고,상기 제2 전극은, 서로 겹쳐진 복수 개의 판을 포함하며, 동력원에 의해 상기 복수 개의 판 사이의 각도를 조절함으로써 상기 제2 홀의 크기 및 상기 일 방향에 대한 상기 제2 전극의 표면 경사각 중 하나 이상을 조절할 수 있는 가변형 전극인 것을 특징으로 하는 가변형 이온 가이드
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,상기 하나 이상의 가이드 전극은,하나 이상의 제3 홀을 포함하는 제3 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변형 이온 가이드
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 중 하나 이상은 상기 가변형 챔버에 탈착 가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는 가변형 이온 가이드
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 가변형 챔버는 절연 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변형 이온 가이드
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 가변형 챔버는, 냉각 물질이 주입되는 하나 이상의 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변형 이온 가이드
|
| 8 |
8
플라즈마가 발생되는 플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버 내에 자기장을 인가하는 자석부;상기 플라즈마 챔버 내에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 발생부; 및상기 자기장 및 상기 마이크로파에 의한 전자 맴돌이 공명에 의하여 상기 플라즈마로부터 발생된 이온을 상기 플라즈마 챔버로부터 인출하는 가변형 이온 가이드를 포함하되,상기 가변형 이온 가이드는, 한쪽 끝이 상기 플라즈마 챔버에 연결되며, 복수 개의 주름관을 포함하고, 상기 복수 개의 주름관을 변형시키는 것에 의하여 이온 진행 방향의 길이를 조절할 수 있도록 구성된 가변형 챔버;상기 가변형 챔버의 길이를 조절하는 것에 의하여 위치가 결정되도록 상기 복수 개의 주름관 사이에 각각 연결되는 하나 이상의 가이드 전극; 및상기 가변형 챔버의 길이를 조절하는 것에 의하여 위치가 결정되도록 상기 가변형 챔버의 다른쪽 끝에 연결되는 인출 전극을 포함하고,상기 하나 이상의 가이드 전극은, 제1 홀을 포함하는 제1 전극; 및상기 제1 홀 내에 위치하며 제2 홀을 포함하는 제2 전극을 포함하며,상기 제2 전극은, 서로 겹쳐진 복수 개의 판을 포함하며, 동력원에 의해 상기 복수 개의 판 사이의 각도를 조절함으로써 상기 제2 홀의 크기 및 상기 이온 진행 방향에 대한 상기 제2 전극의 표면 경사각 중 하나 이상을 조절할 수 있는 가변형 전극인 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제 8항에 있어서,상기 하나 이상의 가이드 전극은,하나 이상의 제3 홀을 포함하는 제3 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 중 하나 이상은 상기 가변형 챔버에 탈착 가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
|
| 13 |
13
제 8항에 있어서,상기 가변형 챔버는 절연 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
|
| 14 |
14
제 8항에 있어서,상기 가변형 챔버는, 냉각 물질이 주입되는 하나 이상의 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
|
