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축전결합 플라즈마원의 바이어스 위상제어에 의한 포텐셜 분석 방법에 있어서, 진공챔버와 안테나 전극과 웨이퍼전극을 등가회로도로 구성하고 등가회로를 통해 회로모델을 모델링하여 포텐셜을 분석하되, 상기 모델링된 회로모델을 통해 진공챔버의 벽쪽으로 흐르는 전류를 최소화하도록 안테나 전극과 웨이퍼 전극 사이의 전원의 위상차를 제어하는 것을 특징으로 하는 축전결합 플라즈마원의 위상제어에 의한 포텐셜 분석 방법
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제1항에 있어서, 진공챔버의 벽쪽으로 흐르는 전류가 최소화되는 안테나 전극과 웨이퍼 전극 사이의 최적의 전원의 위상차는 상기 위상의 차이를 변화시키면서 웨이퍼 전극의 포텐셜의 최대값과 최소값을 획득하고, 상기 얻은 최대값과 최소값으로 포텐셜의 최대값과의 최소값의 차이값(이하 Vpp라 함)과 포텐셜의 최대값과 최소값의 평균값(이하 Vdc라 함)을 산출하며, Vdc/Vpp가 가장 낮은 값을 갖도록 계산된 위상의 차이가 진공챔버의 벽쪽으로 흐르는 전류가 최소화되는 최적의 위상차 인것을 특징으로 하는 축전결합 플라즈마원의 위상제어에 의한 포텐셜 분석 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회로모델에는 입력모듈과 계산모듈과 출력모듈이 포함되는 것을 특징으로 하는 축전결합 플라즈마원의 위상제어에 의한 포텐셜 분석 방법
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제3항에 있어서, 상기 입력 모듈은 플라즈마 밀도, 전자 온도, 전극에 인가된 포텐셜의 진폭, 전극의 반경, 블로킹 커패시터의 용량, 장치의 높이, 인가된 전압, 주파수, 압력을 입력받는 것을 특징으로 하는 축전결합 플라즈마원의 위상제어에 의한 포텐셜 분석 방법
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제3항에 있어서, 상기 계산모듈은 모델링된 회로도의 회로방정식을 4차 룬지쿠타(Runge-Kutta) 방법을 이용하여 수치적으로 풀어 위상차에 대한 회로도의 각 소자값을 결정하며, 플라즈마 및 전극에서의 포텐셜(Potential)을 계산하고, 계산된 포텐셜로부터 최적의 위상차를 산출하는 것을 특징으로 하는 축전결합 플라즈마원의 위상제어에 의한 포텐셜 분석 방법
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제3항에 있어서, 상기 출력모듈은 계산된 포텐셜, 각 회로도의 소자값, 그리고 최적의 위상차를 출력하는 것을 특징으로 하는 축전결합 플라즈마원의 위상제어에 의한 포텐셜 분석 방법
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제3항에 있어서, 상기 회로도의 모델링 근거하여 모델링된 회로 방정식은 (여기서, Vrf,a는 안테나 전극에 인가된 포텐셜, Va는 안테나 전극의 포텐셜, 는 안테나 전극의 damped 포텐셜, Cba는 안테나 전극의 블로킹 커패시터, Isa는 플라즈마에서 안테나 전극으로 흐르는 전류, 는 플라즈마와 안테나 전극 사이의 커패시터, 그리고 Vp는 플라즈마 포텐셜이다
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제7항에 있어서, 상기 방정식에서 커패시턴스(Capacitance)는 다음과 같이 표현되며,(여기서 S 는 전극이나 벽면의 면적, ε0는 진공의 유전율, V는 벽이나 전극에서의 전압,로서,{여기서, ns=n0exp(eV1/Te)으로 n0는 플라즈마 밀도, Te는 전자온도, V1=-0
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제3항에 있어서, 상기 계산모듈에서, 회로도(도 3)의 포텐셜 값들은 4차 룬지쿠타(Runge-Kutta) 방법을 이용하여 수치적으로 풀어서 결정되며, 계산된 포텐셜로부터 웨이퍼 전극과 장치 벽에서의 이온 에너지 분포(IED:Ion Energy Distribution)를 (여기서, j는 에너지 간격) 식으로부터 계산하는 것을 특징으로 하는 축전결합 플라즈마원의 바이어스 위상제어에 의한 포텐셜 분석 방법
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